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• W1995874701 abstract "On présente les propriétés électriques des jonctions indium–tellurure de plomb. L'étude du courant tunnel et da la capacité de ces jonctions conduit à un modèle de barrière de potentiel à couche d'inversion. La surface effective est supérieure à la surface géométrique et varie par un traitement thermique à basse température. Les variations de l'anomalie à tension nulle avec la température et le champ magnétique indiquent qu'une électrode de la jonction se comporte comme un supraconducteur de bande interdite 2 Δ ≈︁ 2,2 meV et de température critique Tc = 7,1 °K. Ces propriétés peuvent ětre attribuées au plomb précipité dans les joints de grain. Les micrographies révèlent en effet, dans PbTe non stoechiométrique de type p, l'existence de tels défauts entre des régions faiblement désorientées. Ces défauts peuvent modifier profondément les propriétés de la jonction et affecter certaines expériences de spectroscopie tunnel ainsi que l'étude d'une éventuelle supraconductivité de PbTe. The electrical properties of InPbTe junctions are presented. Tunnel current and capacitance studies of these junctions lead to a potential barrier model with an inverted layer. The effective area is larger than the geometrical one and varies by low temperature annealing. The variations of zero-bias anomalies with temperature and magnetic field show that one electrode junction behaves like a superconductor of gap 2 Δ ≈︁ 2.2 meV and critical temperature Tc = 7.1 °K. These properties may be attributed to lead precipitated in grain boundaries. Photomicrographs indeed assert the existence of such defects between weakly misoriented regions of non-stoichiometric p-type PbTe. These defects may deeply change the junction properties and affect some tunnel spectroscopy experiments as well as the research of a possible superconductivity of PbTe." @default.
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