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• W2063461340 abstract "Conductivity and Hall effect measurements in the temperature range 77 to 300 K made on CuInTe2 single crystals grown using the programmed directional freezing and vertical Bridgman techniques are reported. All sample are found to be p-type conducting with hole concentrations in the range 1016 to 5 × 1019 cm−3 and are also highly compensated. The p-type conductivity is dominated by a single shallow acceptor attributed to Te vacancies. Analysis of an annealed sample with a hole concentration at the bottom of the range reveals two acceptor levels with ionisation energies of 15 and 75 meV. The two acceptors are attributed to the antisite to the defect CuIn and Cu vacancies, respectively. Analysis of the mobility results shows that the mobility is dominated by acoustic phonon-lattice scattering and ionised impurity scattering. A value for the deformation potential, Eac, is estimated and ionised impurity concentrations are determined. The published data on the electrical characteristics of CuInTe2 are discussed with regard to the results reported here. Es wird über Leitfähigkeits- und Hall-Effekt-Messungen im Temperaturbereich von 77 bis 300 K an CuInTe2-Einkristallen berichtet, die durch programmierte, gerichtete Erstarrung und mit der vertikalen Bridgman-Technik gezüchtet wurden. Alle Proben waren p-leitend und hock kompensiert und hatten Löcherkonzentrationen im Bereich 1 × 1016 bis 5 × 1019 cm−3. Die p-Leitung wird durch einen flachen Akzeptor verursacht, der Te-Vakanzen zugeschrieben wird. Die Analyse der Daten für einen getemperten Kristall ergibt zwei Akzeptorzustände mit Ionisierungsenergien von 15 und 75 meV. Diese beiden Akzeptoren werden dem Antisite-Defekt CuIn und der Cu-Leerstelle zugeschrieben. Eine Analyse der Beweglichkeitsdaten zeigt, daß die Gitterstreuung durch akustische Phononen und die Streuung an ionisierten Störstellen dominiert. Die Größe des akustischen Deformationspotentials Eac und die Konzentration der ionisierten Störstellen werden abgeschätzt. Publizierte Daten zu den elektrischen Eigenschaften von CuInTe2 werden unter Berücksichtigung der eigenen Meßergebnisse diskutiert." @default.
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