Matches in Wikidata for { <http://www.wikidata.org/entity/Q57759875> ?p ?o ?g. }
Showing items 1 to 47 of
47
with 100 items per page.
- Q57759875 description "article" @default.
- Q57759875 description "im Juli 2013 veröffentlichter wissenschaftlicher Artikel" @default.
- Q57759875 description "wetenschappelijk artikel" @default.
- Q57759875 description "наукова стаття, опублікована в липні 2013" @default.
- Q57759875 description "հոդված" @default.
- Q57759875 name "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 name "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 type Item @default.
- Q57759875 label "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 label "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 prefLabel "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 prefLabel "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 P1433 Q57759875-2D8297A3-6DA4-4BA7-975F-B56B7456DDB5 @default.
- Q57759875 P1476 Q57759875-46B24630-AD0F-45C8-B028-A3570417BC99 @default.
- Q57759875 P2093 Q57759875-0EB83C4D-7A23-42C1-BC57-18AC98E0AED9 @default.
- Q57759875 P2093 Q57759875-215630BC-57C0-4EEA-8660-94AE66AF46FE @default.
- Q57759875 P2093 Q57759875-747CDC23-6B54-48B3-83B6-7A10CCF4F98D @default.
- Q57759875 P2093 Q57759875-874A2299-9B87-4087-A227-E44454283833 @default.
- Q57759875 P2093 Q57759875-B46AC1EA-4627-4385-945C-418B9118571E @default.
- Q57759875 P304 Q57759875-A51A38E5-45C9-4417-9D82-DD4D12B1A314 @default.
- Q57759875 P31 Q57759875-68E2847A-5085-4CCC-8957-2B07AD0E18BC @default.
- Q57759875 P356 Q57759875-A57522BD-9B3F-4377-B26D-E153997082A0 @default.
- Q57759875 P407 Q57759875-8CC59325-8C8B-424C-9BDC-29909B47F0FD @default.
- Q57759875 P433 Q57759875-DE7AD4FB-5661-4273-891C-BF957F3DF4B8 @default.
- Q57759875 P478 Q57759875-04E0E51E-DD4B-4F7B-91B0-9D88954B2816 @default.
- Q57759875 P50 Q57759875-C7B1396B-7A72-46BA-9654-D6BACE1F2937 @default.
- Q57759875 P50 Q57759875-E70CDFE6-BBCC-4F29-8D9F-6EC927E9F2E9 @default.
- Q57759875 P577 Q57759875-91CA360A-F552-4D83-BBAB-7C47C8AD802D @default.
- Q57759875 P921 Q57759875-D3FD584E-0F5E-4EB7-93F4-65C44300D40E @default.
- Q57759875 P356 1.4813311 @default.
- Q57759875 P1433 Q621615 @default.
- Q57759875 P1476 "Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics" @default.
- Q57759875 P2093 "Jacob Tse-Wei Wang" @default.
- Q57759875 P2093 "Jiang Pu" @default.
- Q57759875 P2093 "Taishi Takenobu" @default.
- Q57759875 P2093 "Yijin Zhang" @default.
- Q57759875 P2093 "Yoshifumi Wada" @default.
- Q57759875 P304 "023505" @default.
- Q57759875 P31 Q13442814 @default.
- Q57759875 P356 "10.1063/1.4813311" @default.
- Q57759875 P407 Q1860 @default.
- Q57759875 P433 "2" @default.
- Q57759875 P478 "103" @default.
- Q57759875 P50 Q27150531 @default.
- Q57759875 P50 Q46168666 @default.
- Q57759875 P577 "2013-07-08T00:00:00Z" @default.
- Q57759875 P921 Q1137203 @default.