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- Q60150856 description "article scientifique publié en 2006" @default.
- Q60150856 description "im Juli 2006 veröffentlichter wissenschaftlicher Artikel" @default.
- Q60150856 description "wetenschappelijk artikel" @default.
- Q60150856 description "наукова стаття, опублікована в липні 2006" @default.
- Q60150856 name "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC" @default.
- Q60150856 name "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC(100) 3×2" @default.
- Q60150856 type Item @default.
- Q60150856 label "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC" @default.
- Q60150856 label "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC(100) 3×2" @default.
- Q60150856 prefLabel "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC" @default.
- Q60150856 prefLabel "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC(100) 3×2" @default.
- Q60150856 P1433 Q60150856-63B8BABF-23E0-450A-A715-94F83A81F851 @default.
- Q60150856 P1476 Q60150856-0386D184-0C8B-4BCC-A258-2050A1A954F4 @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-2EEDC98E-567A-4201-B863-45B17EC4F382 @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-5E426388-2334-4E0E-8268-140CEE60345E @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-69D4B1A3-39CB-4356-8036-647B01ECEE7F @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-B6401BCA-5C5A-44C1-BBEB-81330047D1BA @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-DFCCB678-54F6-448B-B76F-800688860DBE @default.
- Q60150856 P2093 Q60150856-FDEC503D-2B46-4012-A93B-C425EB3CDDE1 @default.
- Q60150856 P304 Q60150856-7C1406BC-0DBB-4C61-A1D3-66FED546F292 @default.
- Q60150856 P31 Q60150856-2C50F89A-AEFB-4DAC-9BCF-757DE0C47354 @default.
- Q60150856 P356 Q60150856-7224B7B8-F297-470C-9298-474F1A0F9659 @default.
- Q60150856 P433 Q60150856-095E2232-F114-42EE-AF71-A9F14D7EFA24 @default.
- Q60150856 P478 Q60150856-6C8C8A2B-D75C-4DF5-B6D1-3546AE381C8F @default.
- Q60150856 P50 Q60150856-706C3530-28BB-4815-BE7D-947953D8C5C7 @default.
- Q60150856 P50 Q60150856-85E6C52D-6980-4E2B-AFD6-0334624B42BF @default.
- Q60150856 P50 Q60150856-B4049EBF-C2CF-4444-93C0-62504153501F @default.
- Q60150856 P50 Q60150856-C2084CA2-1E90-4119-A9A5-195D41257334 @default.
- Q60150856 P50 Q60150856-F336DD19-15FE-40B3-BEE6-A96B0371A828 @default.
- Q60150856 P577 Q60150856-AC0F0F49-8FD9-4CA5-BCEF-3BF798D1D950 @default.
- Q60150856 P921 Q60150856-23B1A1D6-2724-406F-89CA-23D7E0D893A2 @default.
- Q60150856 P356 1.2243801 @default.
- Q60150856 P1433 Q621615 @default.
- Q60150856 P1476 "Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D∕3C–SiC(100) 3×2" @default.
- Q60150856 P2093 "C. Radtke" @default.
- Q60150856 P2093 "C. Spezzani" @default.
- Q60150856 P2093 "H. Enriquez" @default.
- Q60150856 P2093 "J. Roy" @default.
- Q60150856 P2093 "P. Jaffrennou" @default.
- Q60150856 P2093 "P. Perfetti" @default.
- Q60150856 P304 "042114" @default.
- Q60150856 P31 Q13442814 @default.
- Q60150856 P356 "10.1063/1.2243801" @default.
- Q60150856 P433 "4" @default.
- Q60150856 P478 "89" @default.
- Q60150856 P50 Q118838997 @default.
- Q60150856 P50 Q57112761 @default.
- Q60150856 P50 Q57527147 @default.
- Q60150856 P50 Q61314488 @default.
- Q60150856 P50 Q90424240 @default.
- Q60150856 P577 "2006-07-24T00:00:00Z" @default.
- Q60150856 P921 Q11456 @default.