Matches in Wikidata for { <http://www.wikidata.org/entity/Q60633655> ?p ?o ?g. }
Showing items 1 to 56 of
56
with 100 items per page.
- Q60633655 description "article scientifique publié en 2004" @default.
- Q60633655 description "im Februar 2004 veröffentlichter wissenschaftlicher Artikel" @default.
- Q60633655 description "wetenschappelijk artikel" @default.
- Q60633655 description "наукова стаття, опублікована в лютому 2004" @default.
- Q60633655 name "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 name "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 type Item @default.
- Q60633655 label "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 label "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 prefLabel "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 prefLabel "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 P1433 Q60633655-1AC75712-BD49-4A62-9DEC-189924F28909 @default.
- Q60633655 P1476 Q60633655-AE14BBB0-2C09-4443-99E1-926644B46F72 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-0F141B0E-6EC6-4B59-864B-831855489FCE @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-1A09376B-F24D-48C0-B7AB-A0B8DEC0CA45 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-1A3DD494-C350-472E-8550-31560647E313 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-37167562-132A-4E23-8D33-99AFE4682DF5 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-4C2A03C0-3D25-46FF-8DB7-4A42A9FE3FC2 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-7EF9DB7D-6B7B-4A1E-9A11-55BBB33FE886 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-86BB357A-5811-41F8-A333-5200B1BAE3A5 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-ADF93C4F-CAD5-491D-9C82-F1A83669B092 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-B13325A7-63FA-435E-BEE2-E46383E50068 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-B2DEEBEF-0A1F-4220-9AC3-647C8AD52290 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-B3AE10CA-A07E-4160-8B2F-29CC768D10C0 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-D549D0C7-10C1-4C1A-9539-2DCEC8DE0495 @default.
- Q60633655 P2093 Q60633655-D9388037-3D44-42F3-9C08-8FCEFDB793E1 @default.
- Q60633655 P304 Q60633655-DCA87CF5-F563-45B4-9745-C1488C8CC132 @default.
- Q60633655 P31 Q60633655-FEE9ED0E-E92E-4050-9C4B-B39F363B9A4A @default.
- Q60633655 P356 Q60633655-7631815F-BD5D-40D7-84D0-249FD5530E53 @default.
- Q60633655 P433 Q60633655-AE8A0A36-6742-4C3D-BF7A-59F604A9AAE1 @default.
- Q60633655 P478 Q60633655-033E856A-7459-4E92-B66C-6D0E280491D0 @default.
- Q60633655 P577 Q60633655-61BCF26F-E166-4792-8F95-6AEE9C52F4D1 @default.
- Q60633655 P921 Q60633655-0FA538DD-527C-4FCB-8BD0-E557C52CB7FF @default.
- Q60633655 P356 PSSC.200303940 @default.
- Q60633655 P1433 Q15749953 @default.
- Q60633655 P1476 "The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on Ssilicon" @default.
- Q60633655 P2093 "A. Sanz-Hervás" @default.
- Q60633655 P2093 "C. Fernández" @default.
- Q60633655 P2093 "Ch. Zgheib" @default.
- Q60633655 P2093 "D. Araújo" @default.
- Q60633655 P2093 "F. M. Morales" @default.
- Q60633655 P2093 "J. Pezoldt" @default.
- Q60633655 P2093 "O. Ambacher" @default.
- Q60633655 P2093 "P. Masri" @default.
- Q60633655 P2093 "P. Weih" @default.
- Q60633655 P2093 "R. García" @default.
- Q60633655 P2093 "S. I. Molina" @default.
- Q60633655 P2093 "Th. Stauden" @default.
- Q60633655 P2093 "V. Cimalla" @default.
- Q60633655 P304 "341-346" @default.
- Q60633655 P31 Q13442814 @default.
- Q60633655 P356 "10.1002/PSSC.200303940" @default.
- Q60633655 P433 "2" @default.
- Q60633655 P478 "1" @default.
- Q60633655 P577 "2004-02-01T00:00:00Z" @default.
- Q60633655 P921 Q214781 @default.