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• W112206593 abstract "Es wird eine Apparatur beschrieben, in der bei Temperaturen von 1,8° bis 22°K Messungen der optischen Absorption und der Wärmeleitung sowie Bestrahlungen mit ultraviolettem und Röntgen-Licht nebeneinander ausgeführt wurden. Mit dieser Anordnung wurden in KBr-Einkristallen zwei photochemische Reaktionen untersucht: (1) Röntgenbestrahlung bei 5°K führt im wesentlichen zur Bildung von Anionenlücken sowie Gegenzentren, die wahrscheinlich Zwischengitterionen sind; (2) Bestrahlung des Systems KBr+KH mit ultraviolettem Licht im Spektralgebiet der U-Bande führt zum Abbau dieser Absorption. Dabei rücken H−-Ionen auf Zwischengitterplätze und hinterlassen Anionenlücken. Bei der ersten Reaktion wurde ein ungewöhnlich starker Anstieg des Wärmewiderstands beobachtet, der dem Einfluss der Zwischengitterionen zugeschrieben werden kann. Der abgeschätzte Phononenstreuquerschnitt liegt bei 3, 3°K in der Grössenordnung von 10−15 cm2. Die Wärmeleitfähigkeit spricht noch auf Störstellenkonzentrationen von c ⩾ 10−7 an. Die Stabilität der Zwischengitterlagen wurde durch Aufwärmen der Kristalle untersucht. Der Abbau der U-Bande ruft um eine Grössenordnung kleinere Effekte hervor als die Röntgenbestrahlung der Kristalle. An KCl-Einkristallen wurden ähnliche Beobachtungen gemacht wie an KBr. Die Temperaturabhängigkeit der Messkurven bei betrahlten Kristallen weicht stark von dem bei reiner Rayleigh-Streuung erwarteten Temperaturverhalten ab. A description of an experimental chamber is given in which optical absorption and thermal conductivity measurements, as well as U.V.- and X-irradiations, were performed in the temperature range from 1.8° to 22°K. With this arrangement, two photochemical reactions in KBr single crystals were investigated: (1) X-irradiation at 5°K produces essentially anion vacancies and probably interstitial ions as “anticenters”; (2) U.V.-irradiation of the system KBr+KH in the spectral range of the U-band bleaches this absorption and causes the formation of anion vacancies and the occupation of interstitial sites by H−-ions. With the first reaction, a strong increase of thermal resistivity was obtained which may be understood as an effect of phonon scattering by interstitial ions The order of magnitude of the phonon scattering cross-section was estimated to be 10−15 cm2 at 3.3°K. The thermal conductivity is still sensitive to a defect concentration of c ⩾ 10−7. The stability of these interstitial ions was tested by annealing. The effects due to optical bleaching of the U-band are one order of magnitude smaller than the effects caused by X-irradiation of the pure crystals. Similar results for both reactions were obtained from KCl-single crystals. The temperature dependence of thermal resistivity of irradiated crystals deviates from that expected from a pure Rayleigh scattering." @default.
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