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- W132342012 abstract "背面入射型p+n-InSbフォトダイオードアレイと埋め込みpチャンネルSi-CCDをInバンプで貼り合わせた64×64画素IRCCDを開発した.イオン注入法で作製したフォトダイオードの表面不活性化に, 陽極酸化/Al2O3低温スパッタ法で形成した2層膜を採用したところ, 接合の良さの指標である無バイアス微分抵抗と接合面積との積R0Aを105Ωcm2以上と大幅に改善することができた.また, Inバンプをあらかじめ円錘形に成形した後に両基板を圧接するプロセスの採用により必要圧力が減り, その結果, 両基板に損傷を与えることなしに結合抵抗を大幅に減らすことができ, 電荷注入効率が改善された.そのためγ値=1.00±0.01と優れた入出力直線性が得られた.また, InSb結晶厚さを20μmまで薄く研磨することにより, 高感度化が達成されると共にクロストークも減り, MTFの改善が図れた.これらの効果により, 画素補正を行った後の温度分解能NETDは0.05～0.06degまで向上した." @default.
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