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- W145608205 abstract "Le travail presente dans ce memoire de these est consacre a l'etude des proprietes electroniques d'un exciton lie a une impurete ionisee de type donneur (D+, X), dans les puits quantiques de type GaAs/Ga1-xAlxAs et CdTe/Cd1-xZnxTe, en presence des champs magnetique et electrique. Cette etude s'inscrit dans un contexte de recherche en plein developpement, en raison des applications potentielles des nanostructures dans le domaine de l'optoelectronique. Dans le cadre de l'approximation de la masse effective et dans un modele a deux bandes paraboliques simples et non degenerees, nous avons compare l'energie de correlation du complexe (D+, X), du donneur neutre (D0) et de l'exciton libre (X) dans un puits quantique. Nous avons deduit que le complexe est toujours stable dans le domaine de variation de la largeur L du puits etudie. Nous avons discute egalement l'effet de la position du donneur dans un puits quantique sur la stabilite du complexe pour une largeur du puits donnee. Enfin nous avons examine l'influence d'un champ magnetique et d'un champ electrique sur l'energie de l'etat fondamental et sur la stabilite du complexe dans un puits quantique. Dans le cas d'un puits quantique de type GaAs/Ga1-xAlxAs, l'application d'un champ magnetique conduit a une augmentation de l'energie du complexe. La stabilite du complexe doit etre etudiee soit par rapport au donneur, soit par rapport a l'exciton suivant une valeur critique du champ qui diminue quand la largeur du puits augmente. Dans les puits quantiques de type GaAs/Ga1-xAlxAs et CdTe/Cd1-xZnxTe le complexe est stable par rapport aux produits de dissociation les plus probables, dans tout le domaine de la largeur du puits et de l'intensite de champ magnetique etudie. En presence d'un champ electrique, l'energie de correlation du complexe depend de l'intensite du champ applique : dans le cas d'un puits quantique de type GaAs/Ga1-xAlxAs, cette dependance, faible pour un puits etroit, devient significative pour un puits large. Le complexe est stable dans le domaine de la largeur du puits et d'intensite du champ electrique etudies." @default.
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