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• W1526348753 abstract "Der überwältigende Erfolg der Halbleiterindustrie basierte in der Vergangenheit auf der Realisierung immer kleinerer Strukturen auf IC-Chips in immer kürzeren Zeiträumen. Damit konnte die Rechengeschwindigkeit der Prozessoren und das Speichervolumen der Speicherbauelemente stetig gesteigert werden. Diese Reduktion der minimalen Strukturgröße hat die optische Lithographie vor allem durch den Übergang auf kürzere Belichtungswellenlängen gemeistert. Die zur Zeit in der Entwicklungs- und Erprobungsphase befindlichen Lithographietechnologien, basierend auf 193 nm- oder auch 157 nm-Laserquellen, werden jedoch Strukturgrößen um 50 nm nicht mehr erreichen. Ein grundsätzlicher Technologiewechsel zeichnet sich somit ab. Die zur Zeit favorisierte Produktionsgrundlage für Strukturgrößen von 50 nm und darunter bildet die EUV Lithographie, basierend auf einer optischen Technologie mit 13,4 nm Belichtungswellenlänge. Diese erhebliche Reduzierung der Wellenlänge bedingt aber auch eine radikale Änderung der bisher benutzten Methodik. In the past the overwhelming success of the semiconductor industry was based on the realisation of ever smaller structures on chips in ever shorter periods. This allowed to increase the computational speed of the processors and the amount of data that can be stored in a memory chip. This reduction of the critical dimension was mastered within optical lithography by transition to smaller wavelengths. Those lithography technologies that are currently in the development or test phase, based on 193 nm or as well 157 nm laser sources, will not achieve dimensions around 50 nm. A fundamental change of technology is thus emerging. The currently favored basis for dimensions of 50 nm and below is EUV lithography, based on an optical technology with an exposure wavelength of 13,4 nm. This substantial reduction of the wavelength also implies a radical change of the methodology used up to now." @default.
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