FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W1528814708> ?p ?o ?g. }

• W1528814708 abstract "Experimental and empirical work in the field of nano-scale, functional multilayer coatings produced by physical (PVD) or chemical (CVD) vapor deposition are currently an object of international research. The research results have already been implemented in industrial products, however, the atomistic understanding of the underlying processes during deposition of these multilayer systems is still incomplete. In particular the correlation between the deposition parameters and the resulting coating structure needs further attention. To overcome the heuristic stage of the coating development and to facilitate targeted and efficient optimization of the coating structure and the resulting mechanical properties, a deeper understanding of the correlation between the substrate temperature, deposition rate and energy onto the growing coating structure is necessary. The same holds for the structure-properties correlation of these systems with a large number of interfaces as well as for the mechanical properties of individual layers.The aim of this work is the combination and mutual validation of modern molecular dynamics simulations (MD) with experimental methods of physical vapor deposition of silicon and silicon-based SiC- and Si3N4-protective coatings. This was done within the framework of the research project Molecular dynamics modeling and validation of manufacturing and structure-property correlations of SiC/SiN nano laminates funded by the German Research Foundation (DFG) and in a collaboration between the Institute for Materials Testing, Materials Science and Strength of Materials (IMWF) at the University of Stuttgart and the Institute for Applied Materials - Applied Materials Physics (IAM-AWP) at the Karlsruhe Institute of Technology (KIT). While molecular dynamics simulations were performed at the IMWF, experimental investigations took place at the IAM-AWP. Hereby, the results of MD studies served as input parameters for experimental investigations. In this way, time-consuming and expensive experimental investigations could be avoided, since only optimistic simulation predictions had to be verified experimentally. In return, the group at the IAM-AWP delivered experimental results which were used to validate the simulation model.In general, each experimental study was also represented by a MD simulation. Hence, the entire process of the coating deposition and characterization can be divided into three distinct stages:- Simulation and experimental investigation of the sputtering process of Si, SiC and Si3N4.- Simulation und experimental investigation of the deposition process of silicon substrates by Si, SiC and Si3N4.- Simulations and experimental characterisation of the correlation between the structure and properties of the deposited silicon and silicon-based SiC- and Si3N4- protective coatings. Experimentell-empirische Arbeiten im Bereich nanoskaliger, funktioneller Multilagenschichten, die mittels physikalischer (PVD) oder chemischer (CVD) Gasphasenabscheidung hergestellt werden, sind derzeit internationaler Forschungsgegenstand. Die erzielten Forschungsergebnisse sind bereits vielfach in industrielle Produkte umgesetzt worden. Dennoch ist das atomistische Verstandnis von Prozessen, die sich bei der Abscheidung solcher Schichtsystemen abspielen, weitgehend luckenhaft. Dies trifft insbesondere auf die Korrelation zwischen den Abscheideparametern und der resultierenden Schichtstruktur zu. Um das heuristische Stadium der Beschichtungsentwicklung zu verlassen und eine gezielte und effiziente Optimierung der Schichtstruktur zu ermoglichen, ist ein tieferes Verstandnis der Korrelation zwischen der Substrattemperatur, der Abscheiderate und -energie und der daraus resultierenden Schichtstruktur mit hohem Grenzflachenanteil sowie den sich einstellenden mechanischen Eigenschaften erforderlich.Ziel dieser Arbeit ist es, moderne Molekulardynamiksimulationen (MD) und experimentelle Methoden der physikalischen Gasphasenabscheidung von Silizium und siliziumbasierten SiC- und Si3N4-Schutzschichten miteinander zu kombinieren und gegenseitig zu validieren. Dies geschah im Rahmen eines von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) geforderten Projektes Molekulardynamische Modellierung und Validierung der Herstellung und der Struktur-Eigenschafts-Korrelationen von SiC/SiN-Nanolaminaten, in einer Zusammenarbeit des Instituts fur Materialprufung, Werkstoffkunde und Festigkeitslehre (IMWF) der Universitat Stuttgart mit dem Institut fur Angewandte Materialien - Angewandte Werkstoffphysik (IAM-AWP) des Karlsruher Instituts fur Technologie (KIT). Die Zusammenarbeit der beiden Institute wurde so gestaltet, dass die Arbeitsgruppe am IMWF molekulardynamische Simulationen durchfuhrte, wahrend am IAM-AWP experimentelle Untersuchungen stattfanden. Die Ergebnisse der MD-Studien dienten als Eingabeparameter fur die experimentellen Untersuchungen. Auf diese Weise konnten zeit- und kostenaufwendige Untersuchungen vermieden werden, da nur simulationstechnisch optimistische Voraussagen experimentell umgesetzt wurden. Im Gegenzug lieferte die Arbeitsgruppe am IAM-AWP experimentell relevante Ergebnisse, die zur Validierung des Simulationsmodells dienten.Jede experimentelle Untersuchung wurde auch simulationstechnisch umgesetzt. Das gesamte Arbeitspaket lasst sich somit in drei Einzelpakete aufteilen:- Simulation und experimentelle Umsetzung des Zerstaubungsprozesses von Si, SiC und Si3N4.- Simulation und experimentelle Umsetzung des Beschichtungsprozesses von Siliziumsubstraten mit Si, SiC und Si3N4.- Simulationstechnische und experimentelle Charakterisierung der Struktur Eigenschaften-Korrelationen von abgeschiedenen Silizium- und siliziumbasierten SiC- und Si3N4-Schutzschichten. Eine besondere Bedeutung wurde der Analyse von Eigenspannungen und der Messung der Harte mittels Nanoindentation an den Schichtsystemen beigemessen." @default.
• W1528814708 created "2016-06-24" @default.
• W1528814708 creator A5046456260 @default.
• W1528814708 date "2013-01-01" @default.
• W1528814708 modified "2023-09-27" @default.
• W1528814708 title "Molecular dynamics simulations of Si, SiC and Si3N4 layered systems" @default.
• W1528814708 doi "https://doi.org/10.18419/opus-2113" @default.
• W1528814708 hasPublicationYear "2013" @default.
• W1528814708 type Work @default.
• W1528814708 sameAs 1528814708 @default.
• W1528814708 citedByCount "0" @default.
• W1528814708 crossrefType "dissertation" @default.
• W1528814708 hasAuthorship W1528814708A5046456260 @default.
• W1528814708 hasConcept C111368507 @default.
• W1528814708 hasConcept C127313418 @default.
• W1528814708 hasConcept C127413603 @default.
• W1528814708 hasConcept C147597530 @default.
• W1528814708 hasConcept C151730666 @default.
• W1528814708 hasConcept C171250308 @default.
• W1528814708 hasConcept C185592680 @default.
• W1528814708 hasConcept C192562407 @default.
• W1528814708 hasConcept C2777289219 @default.
• W1528814708 hasConcept C2781448156 @default.
• W1528814708 hasConcept C2816523 @default.
• W1528814708 hasConcept C51576277 @default.
• W1528814708 hasConcept C57410435 @default.
• W1528814708 hasConcept C59593255 @default.
• W1528814708 hasConcept C61696701 @default.
• W1528814708 hasConcept C64297162 @default.
• W1528814708 hasConcept C78519656 @default.
• W1528814708 hasConcept C86803240 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C111368507 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C127313418 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C127413603 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C147597530 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C151730666 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C171250308 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C185592680 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C192562407 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C2777289219 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C2781448156 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C2816523 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C51576277 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C57410435 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C59593255 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C61696701 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C64297162 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C78519656 @default.
• W1528814708 hasConceptScore W1528814708C86803240 @default.
• W1528814708 hasLocation W15288147081 @default.
• W1528814708 hasOpenAccess W1528814708 @default.
• W1528814708 hasPrimaryLocation W15288147081 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W1592127865 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W1593330814 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2066751161 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2081996715 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2123111406 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2207230244 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2496313235 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2513516965 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2588613953 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2729106654 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2885984441 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2894950206 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2905746252 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2931420594 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2944798246 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W2995905321 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W3008948734 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W3101480291 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W3211756990 @default.
• W1528814708 hasRelatedWork W1595376128 @default.
• W1528814708 isParatext "false" @default.
• W1528814708 isRetracted "false" @default.
• W1528814708 magId "1528814708" @default.
• W1528814708 workType "dissertation" @default.