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- W1553832713 abstract "La complejidad creciente de los sistemas electronicos, el escalado de las dimensiones con nuevos nodos tecnologicos y el incremento de las frecuencias de trabajo, demandan circuitos integrados cada vez mas exactos y estables. Para lograrlos se requiere de programas de simulacion cada vez mas precisos durante el proceso de diseno. El PSPICE, ampliamente utilizado para simular el comportamiento general de los circuitos integrados no considera mucho de los efectos fisicos que se encuentran en los dispositivos reales. Para superar estas limitaciones, hace varias decadas se estan desarrollando modelos compactos como los de HICUM y MEXTRAM basados en los efectos fisicos que tienen lugar dentro de los dispositivos integrados. En este trabajo se presentan algunos aspectos fisicos que no han sido estudiados con profundidad, tal como la influencia del coeficiente de emision del emisor en la expresion del voltaje base-emisor del transistor bipolar, la explicacion y modelacion fisica del coeficiente de emision, el efecto de la capacidad neutral en la modelacion de la capacidad del emisor, asi como un metodo de extraccion del potencial de contacto V DE (T), cuyos resultados muestran una concordancia excelente con los resultados teoricos." @default.
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