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Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W1569541914> ?p ?o ?g. }

• W1569541914 endingPage "22" @default.
• W1569541914 startingPage "16" @default.
• W1569541914 abstract "[ <TEX>$O_2/SF_6$</TEX> ], <TEX>$O_2/N_2$</TEX> 그리고 <TEX>$O_2/CH_4$</TEX>의 혼합 가스를 이용하여 폴리카보네이트의 플라즈마 식각을 연구하였다. 플라즈마 식각 장비는 축전 결합형 플라즈마 시스템을 사용하였다. 폴리카보네이트 식각은 감광제 도포 후에 UV 조사의 포토리소그래피 방법으로 마스크를 제작하여 실험하였다. 본 식각 실험에서는 <TEX>$O_2$</TEX>와 다른 기체와의 혼합비와 RIE 척 파워 증가에 따른 폴리카보네이트의 식각 특성 연구를 중심으로 하였다. 특히 건식 식각 시에 사용한 공정 압력은 100 mTorr로 유지하였으며 공정 압력은 기계적 펌프만을 사용하여 유지하였다. 식각 실험 후에 표면 단차 측정기, 원자력간 현미경 그리고 전자 현미경 등을 이용하여 식각한 샘플을 분석 하였다. 실험 결과에 의하면 폴리카보네이트 식각에서 <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>의 혼합 가스를 사용하면 순수한 <TEX>$O_2$</TEX>나 <TEX>$SF_6$</TEX>를 사용한 것보다 각각 약 140 % 와 280 % 정도의 높은 식각 속도를 얻을 수 있었다. 즉, 100 W RIE 척 파워와 100 mTorr 공정 압력을 유지하면서 20 sccm <TEX>$O_2$</TEX>의 플라즈마 식각에서는 약 <TEX>$0.4{mu}m$</TEX>/min, 20 sccm의 <TEX>$SF_6$</TEX>를 사용하였을 때에는 약 <TEX>$0.2{mu}$</TEX>/min의 식각 속도를 얻었다. 그러나 60 %의 <TEX>$O_2$</TEX>와 40 %의 <TEX>$SF_6$</TEX>로 혼합된 플라즈마 분위기에서는 20 sccm의 순수한 <TEX>$O_2$</TEX>에 비해 상대적으로 낮은 -DC 바이어스가 인가되었음에도 식각 속도가 약 <TEX>$0.56{mu}m$</TEX>/min으로 증가하였다. 그러나 <TEX>$SF_6$</TEX> 양의 추가적인 증가는 폴리카보네이트의 식각 속도를 감소시켰다. <TEX>$O_2/N_2$</TEX>와 <TEX>$O_2/CH_4$</TEX>의 플라즈마 식각에서는 <TEX>$N_2$</TEX>와 <TEX>$CH_4$</TEX>의 양이 각각 증가함에 따라 식각 속도가 감소하였다. 즉, <TEX>$O_2$</TEX>에 <TEX>$N_2$</TEX>와 <TEX>$CH_4$</TEX>의 혼합은 폴리카보네이트의 식각 속도를 저하시켰다. 식각된 폴리카보네이트의 표면 거칠기 절대값은 식각 전에 비해 <TEX>$2{sim}3$</TEX> 배정도 증가하였지만 전자현미경으로 표면을 관찰 하였을 때에는 식각 실험 후의 폴리카보네이트의 표면이 깨끗한 것을 확인할 수 있었다. RIE 척 파워의 증가는 -DC 바이어스와 폴리카보네이트의 식각 속도를 거의 선형적으로 증가시켰으며 이 때 폴리카보네이트의 감광제에 대한 식각 선택비는 약 1:1 정도였다. 본 연구의 의미는 기계적 펌핑 시스템만을 사용한 간단한 플라즈마 식각 시스템으로도 <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>의 혼합 가스를 사용하면 폴리카보네이트의 미세 구조를 만드는데 사용이 가능하며 <TEX>$O_2/N</TEX><TEX>_2$</TEX>와 <TEX>$O_2/CH_4$</TEX>의 결과에 비해 상대적으로 우수한 식각 조건을 얻을 수 있었다는 것이다. 이 결과는 다른 폴리머 소재 미세 가공에도 응용이 가능하여 앞으로 많이 사용될 수 있을 것으로 예상한다. We studied plasma etching of polycarbonate in <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>, <TEX>$O_2/N_2$</TEX> and <TEX>$O_2/CH_4$</TEX>. A capacitively coupled plasma system was employed for the research. For patterning, we used a photolithography method with UV exposure after coating a photoresist on the polycarbonate. Main variables in the experiment were the mixing ratio of <TEX>$O_2$</TEX> and other gases, and RF chuck power. Especially, we used only a mechanical pump for in order to operate the system. The chamber pressure was fixed at 100 mTorr. All of surface profilometry, atomic force microscopy and scanning electron microscopy were used for characterization of the etched polycarbonate samples. According to the results, <TEX>$O_2/SF_6$</TEX> plasmas gave the higher etch rate of the polycarbonate than pure <TEX>$O_2$</TEX> and <TEX>$SF_6$</TEX> plasmas. For example, with maintaining 100W RF chuck power and 100 mTorr chamber pressure, 20 sccm <TEX>$O_2$</TEX> plasma provided about <TEX>$0.4{mu}m$</TEX>/min of polycarbonate etch rate and 20 sccm <TEX>$SF_6$</TEX> produced only <TEX>$0.2{mu}m$</TEX>/min. However, the mixed plasma of 60 % <TEX>$O_2$</TEX> and 40 % <TEX>$SF_6$</TEX> gas flow rate generated about <TEX>$0.56{mu}m$</TEX> with even low -DC bias induced compared to that of <TEX>$O_2$</TEX>. More addition of <TEX>$SF_6$</TEX> to the mixture reduced etch of polycarbonate. The surface roughness of etched polycarbonate was roughed about 3 times worse measured by atomic force microscopy. However examination with scanning electron microscopy indicated that the surface was comparable to that of photoresist. Increase of RF chuck power raised -DC bias on the chuck and etch rate of polycarbonate almost linearly. The etch selectivity of polycarbonate to photoresist was about 1:1. The meaning of these results was that the simple capacitively coupled plasma system can be used to make a microstructure on polymer with <TEX>$O_2/SF_6$</TEX> plasmas. This result can be applied to plasma processing of other polymers." @default.
• W1569541914 created "2016-06-24" @default.
• W1569541914 creator A5000702993 @default.
• W1569541914 creator A5026379118 @default.
• W1569541914 creator A5027899809 @default.
• W1569541914 creator A5028914227 @default.
• W1569541914 creator A5032930188 @default.
• W1569541914 creator A5037575471 @default.
• W1569541914 creator A5037903747 @default.
• W1569541914 creator A5074629780 @default.
• W1569541914 creator A5083299181 @default.
• W1569541914 date "2008-01-30" @default.
• W1569541914 modified "2023-10-18" @default.
• W1569541914 title "Dry etching of polycarbonate using O2/SF6, O2/N2and O2/CH4plasmas" @default.
• W1569541914 cites W1967235138 @default.
• W1569541914 cites W1996909620 @default.
• W1569541914 cites W2011985433 @default.
• W1569541914 cites W2012121095 @default.
• W1569541914 cites W2020774629 @default.
• W1569541914 cites W2072131360 @default.
• W1569541914 cites W2084607711 @default.
• W1569541914 cites W2088761125 @default.
• W1569541914 doi "https://doi.org/10.5757/jkvs.2008.17.1.016" @default.
• W1569541914 hasPublicationYear "2008" @default.
• W1569541914 type Work @default.
• W1569541914 sameAs 1569541914 @default.
• W1569541914 citedByCount "1" @default.
• W1569541914 countsByYear W15695419142022 @default.
• W1569541914 crossrefType "journal-article" @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5000702993 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5026379118 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5027899809 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5028914227 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5032930188 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5037575471 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5037903747 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5074629780 @default.
• W1569541914 hasAuthorship W1569541914A5083299181 @default.
• W1569541914 hasBestOaLocation W15695419141 @default.
• W1569541914 hasConcept C105487726 @default.
• W1569541914 hasConcept C113196181 @default.
• W1569541914 hasConcept C121332964 @default.
• W1569541914 hasConcept C159985019 @default.
• W1569541914 hasConcept C171250308 @default.
• W1569541914 hasConcept C185592680 @default.
• W1569541914 hasConcept C192562407 @default.
• W1569541914 hasConcept C2776540798 @default.
• W1569541914 hasConcept C30646810 @default.
• W1569541914 hasConcept C43617362 @default.
• W1569541914 hasConcept C97355855 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C105487726 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C113196181 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C121332964 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C159985019 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C171250308 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C185592680 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C192562407 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C2776540798 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C30646810 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C43617362 @default.
• W1569541914 hasConceptScore W1569541914C97355855 @default.
• W1569541914 hasIssue "1" @default.
• W1569541914 hasLocation W15695419141 @default.
• W1569541914 hasOpenAccess W1569541914 @default.
• W1569541914 hasPrimaryLocation W15695419141 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W1967363843 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W1969158312 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2027969683 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2031164058 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2040226335 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2045702359 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2084748061 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2612740081 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2771968702 @default.
• W1569541914 hasRelatedWork W2899084033 @default.
• W1569541914 hasVolume "17" @default.
• W1569541914 isParatext "false" @default.
• W1569541914 isRetracted "false" @default.
• W1569541914 magId "1569541914" @default.
• W1569541914 workType "article" @default.