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- W1603600524 abstract "En esta tesis se presenta una investigacion sobre las tecnicas de simulacion y medida del ruido a frecuencias elevadas generado en un semiconductor de interes tecnologico, bajo condiciones alejadas del equilibrio. Se ha desarrollado un simulador que permite obtener la temperatura de ruido en GaAs homogeneo mediante el metodo de Monte Carlo. En este simulador se utiliza un procedimiento para optimizar la eficiencia del metodo, minimizando las llamadas a la rutina que genera los numeros aleatorios. Se ha utilizado una tecnica de estimacion espectral basada en el metodo de Maxima Entropia, y se ha demostrado que esta tecnica supera en eficiencia a las tecnicas convencionales basadas en la transformada discreta de Fourier cuando los espectros se aproximan a un comportamiento lorentziano. Se han realizado refinamientos a los modelos fisicos de los mecanismos de dispersion para simular condiciones de alta degeneracion. Entre estos refinamientos destacan la utilizacion del Principio de Exclusion de Pauli, la modelizacion de los efectos de apantallamiento en las vibraciones de la red, y la inclusion de los acoplos entre las oscilaciones del plasma generado por los electrones libres y las vibraciones de la red. Se ha desarrollado un sistema experimental para la medicion del ruido a frecuencias de microondas, con el cual se han caracterizado distintas muestras de GaAs degenerado. Los resultados de estas medidas demuestran que el simulador es capaz de predecir con precision el ruido generado por las muestras. Asimismo, el sistema desarrollado ha demostrado su versatilidad para cualificar tecnologias de fabricacion de distintos dispositivos semiconductores" @default.
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