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- W1948651430 abstract "本論文以III-V族半導體製程所製作的砷化鎵(GaAs)異質接面電晶體HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)來設計與實現光纖通訊的相關電路，並提出設計方式、測試方法的流程；利用異質接面電晶體其高頻率、高速度及高驅動力等優點，來設計如光傳送雷射驅動器、光接收轉阻放大器、限制放大器等，完成傳送/接收端10 Gb/s傳輸率的模擬及製作。論文並提出10 Gb/s標準下所需的量測架構與量測方法，使能正確地測量光電元件和相關電路的特性，以便於進一步的探討在高速率下所面臨的問題。" @default.
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