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• W1968487472 abstract "In fruheren Untersuchungen wurde gezeigt, das sich im Grenzfall kleiner Storungen des Gleichgewichts alle Photoleiter ohne Storstellen in vier Gruppen einteilen lassen, die sich hinsichtlich der Sattigung der Photostrome unterscheiden. Dem entspricht, wie hier gezeigt wird, eine Einteilung aller Halbleiter in vier Gruppen im Hinblick auf eine Injektion von Ladungstragern aus den Kontakten: nur Minoritatstrager, nur Majoritatstrager, sowie beide Tragersorten sowohl in Stor- als auch in Eigenleitern. Es wird ferner gezeigt, das die fruher abgeleiteten Beziehungen nach einfachen Substitutionen auch fur Halb- und Photoleiter mit Storstellen gelten. Fur den Grenzfall kleiner Abweichungen vom Gleichgewicht erhalt man so allgemein gultige Ausdrucke fur die Sattigung von Photostromen, fur die Injektion von Ladungstragern und die dazu notwendigen Feldstarken.Man kann auch die zeitlich veranderlichen Photostrome in analoger Weise untersuchen, namlich durch eine Fourier-Analyse der Anregungsfunktion. Fur jede Komponente der Frequenz ω erhalt man die Photostrome bei sinusformiger Anregung, indem man alle Grosen von der Bedeutung einer Zeit τ durch einen Relaxationsterm τ/(1+i ω τ) in den fruheren Ausdrucken fur die stationaren Strome ersetzt. Fur einen Photoleiter ohne Storstellen gibt es zwei solcher Zeiten, namlich die dielektrische Relaxationszeit τR und die Rekombinationslebensdauer τ der Minoritatstrager.Fur einen Photoleiter mit Rekombinationszentren und je einer Art von Haftstellen fur Minoritats- und Majoritatstrager erhalt man dagegen auser τR vier charakterstische Zeiten, von denen die zeitlich veranderlichen Photostrome abhangen. Im allgemeinen sind diese Zeiten verschieden von den mittleren Lebensdauern, die sich aus den Konzentrationen im stationaren Zustand ergeben.According to earlier investigations, to a first approximation all photoconductors without imperfections can be classified into four groups according to the manner in which the photocurrent saturates. This corresponds to a classification of semiconductors into four groups according to the charge carriers which may be injected, i. e., extrinsic semiconductors in which only the majority, the minority, or both types of carrier are injected, and intrinsic semiconductors in which both types of carrier are injected. The relationships which have been derived for the ideal photoconductor are now modified for photoconductors with imperfections, Thus for all four groups one obtains general expressions for the saturated photocurrents, the injection of charge carriers, and the electric field strengths necessary for saturation, provided that the photocurrents are small compared with the dark currents. The transient photocurrents can be calculated from the Fourier spectrum of the excitation function. For each Fourier component of frequency ω one obtains a corresponding component of photocurrent by substituting all terms with the character of a time τ by a relaxation term τ/1+ i ω τ in the equations for the steady state currents. For an ideal photoconductor there are two such times, viz., the dielectric relaxation time τR and the recombination lifetime τ of the minority carriers. For a photoconductor with recombination centres and traps, for majority and minority carriers, one finds, in addition to τR, four characteristic times upon which the transient photocurrents depend. In general all these times are different from the man lifetimes as determined from the steady state concentrations." @default.
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