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• W1970590374 abstract "Simulation of double-crystal X-ray rocking curves is used as the analysis technique to evaluate amount and depth-distribution of the damage produced in silicon by ion implantation. The implants are made at room temperature with 1 × 1014 cm−2, 100 keV silicon ions in such conditions as to prevent appreciable target heating during bombardment. The lattice damage at any depth in the surface layer is below the critical level for complete amorphization. An isochronal annealing carried out after the implant shows two distinct steps of damage recovery, the former in the range 50 to 200 °C and the latter between 500 and 800 °C. Isothermal heatings made in correspondence with these stages of strain relief enable the two defect decays to be identified as single activated processes with activation energies of 1.1 and 3.7 eV, respectively. The processes can be interpreted as thermal removals of isolated amorphous regions (low temperature) and interstitial clusters (high temperature) present in the crystalline surface layer after the implant. It is also verified that amorphous region dissolution is responsible for the spontaneous decrease of the lattice strain occurring in an implanted sample kept at room temperature. Simulation von Doppelkristall-Röntgen-Rockingkurven wird benutzt, um die Größe und Tiefenverteilung des Strahlenschadens von ionenimplantiertem Silizium zu bestimmen. Die Implantationen werden bei Zimmertemperatur mit 1 × 1014 cm−2, 100 keV-Siliziumionen unter solchen Bedingungen durchgeführt, daß eine merkliche Aufheizung während des Beschusses vermieden wird. Der Strahlenschaden an jeder Tiefe der Oberflächenschicht liegt unterhalb des kritischen Niveaus für vollständige Amorphisierung. Isochrome Ausheilung nach der Implantation ergibt zwei verschiedene Schadenerholungsstufen, die erstere im Bereich 50 bis 200 °C und die letztere zwischen 500 und 800 °C. Isothermisches Aufheizen entsprechend diesen Stufen des Spannungsreliefs ermöglicht, die beiden Defektabklingverläufe als einzelne aktivierte Prozesse mit Aktivierungsenergien von 1,1 bzw. 3,7 eV zu identifizieren. Die Prozesse lassen sich als thermische Ausheilung von isolierten amorphen Bereichen (Niedertemperatur) und Zwischengittercluster (Hochtemperatur), die in der kristallinen Oberflächenschicht nach Implantation vorhanden sind, interpretieren. Es wird auch gefunden, daß Auflösung amorpher Bereiche für den spontanen Abfall der Gitterspannung verantwortlich ist, der in einer implantierten Probe während Lagerung bei Zimmertemperatur auftritt." @default.
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