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• W1972145810 abstract "Single crystals of silicon carbide, SiC, of the 6H type were studied for their applicability in ion implantation experiments as an alternative to conventional diffusion or epitaxy for production of junctions. Rutherford scattering of 0.5 MeV He+ ions in combination with channeling showed that the crystals were of good quality. Exposure of a SiC crystal to the ambient air and temperature for 89 d leads to the formation of an oxide skin of (18 ± 5) Å thickness with an average composition of SiO1.2. Gas release measurements were performed following bombardment with 0.5 MeV Kr ions to doses between 2 × 1012 and 4 × 1015 ions/cm2. The gas was released in the temperature range 1300 to 1900 °C, the release being slightly faster for high-dose bombardments than for bombardments to lower doses. This indicates that lattice disorder in SiC anneals at fairly high temperatures. For the diffusion of the gas, an activation enthalpy of about (4.4 ± 0.3) eV was obtained. Siliziumkarbid-Einkristalle des 6H-Typs wurden auf ihre Verwendbarkeit in Ionenimplantationsversuchen untersucht, wobei die Ionenimplantation als Alternative zu den konventionellen Techniken der Diffusion oder der Epitaxie zur Herstellung von p–n Übergängen dienen soll. Rutherford-Streuung von 0,5 MeV He+-Ionen in Verbindung mit „channeling”︁-Versuchen zeigte, daß die Kristalle von guter Qualität waren. Eine Lagerung eines SiC-Kristalls in Luft bei Zimmertemperatur für 89 Tage führte zur Ausbildung einer Oxidschicht, deren Dicke (18 ± 5) Å und deren durchschnittliche Zusammensetzung SiO1.2 betrug. Messungen der Gasabgabe wurden nach Beschuß mit 0,5 MeV Kr-Ionen zu Ionendosen zwischen 2 × 1012 und 4 × 1015 Ionen/cm2 durchgeführt. Die Gasabgabe verlief im Temperaturbereich von 1300 bis 1900 °C, wobei die Abgabe bei hoher Beschußdosis etwas schneller war als bei niedrigerer Beschußdosis. Dies deutet auf ziemlich hohe Temperaturen für das Ausheilen der Gitterfehlordnung in SiC hin. Für die Diffusion der Gasatome wurde eine Aktivierungsenergie von ca. (4,4 ± 0,3) eV ermittelt." @default.
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