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• W1972166138 abstract "The charging processes on n-type tin oxide in aqueous solutions of tetra-alkyl ammonium salts were observed by chronopotentiometry. The tin oxide was coated on Pyrex glass, in thickness of 0·5 − 1 × 103 Å, as determined by the Tolansky method of double reflexion. After the establishment of a steady potential, the tin oxide was charged cathodically and anodically, respectively. The influence of the tetra-alkyl ammonium ions and Cl−, Br− and I− on the I/Ec curves were determined with and without prepolarization from 0–2 V. The I/E curves in the presence of tetra-alkyl ammonium salts at a concentration of 10−3−1 M showed a regular shift of the steady-state potential and the potential of charge-transfer reaction on the semiconductor with the size of the adsorbed ions. There is a linear dependence of potential on the proton affinity of anions in tetramethyl ammonium salts of Cl−, Br−, I−. The same relation with a smaller slope was observed in tetra-ethyl ammonium salts. The potential shift is increasingly in a negative direction with decrease in size of alkyl and tetra-alkyl ammonium ions in the order methyl- ethyl-butyl-methylphenyl, with the same halide. In the case of tetra-alkyl halides, a similar shift of electrode potential was observed, and may be shown in the order of Cl−−Br−−I−. This relationship is interpreted by proton charge-transfer processes on Sn-O-H and Sn-O-alkyl, as well as adsorption of halides. This relationship agrees with a calculation of the rate of charge-transfer processes on the semi-conductor surface and H-bonding of the cassiterite structure and the reaction SnOx + N (Alkyl) ⇆ SnOx N(Alkyl)4+ + e + H+ ⇆ SnOx, − H + N(Alkyl)4+ ⇆ SnOx−y + y(H20). The shift of the reaction to the left or right depends upon the charging rate and the covering of semiconductor surface with halide and alkyl ions respectively. Etude chronopotentiométrique des processus de charge sur un oxyde d'étain de type-n dans des solutions aqueuses de sels ue tetraalcoyle d'ammonium. L'oxyue d'étain était recouvert de verre Pyrex d'une épaisseur de 0,5 − 1 × 103 Å, conformément à la méthode de double réflexion de Tolansky. Aprés l'établissement du potentiel d'étude, l'oxyde d'étain semiconducteur a été chargé cathodiquement et anodiquement respectivement. L'influence des ions tetraalcoyle ammonium et Cl−, Br− et I− sur les courbes I/E été déterminée avec et sans prépolarisation de O à − 2V. Les courbes I/E en présence de sels de tetraalcoyle ammonium á une concentration allant de 10−3 à 1 M révèlent un déplacement régulier avec la taille des ions adsobés, du potentiel de régime et du potentiel de la réaction de transfert de charge sur le semiconducteur. Il y a une relation linéaire entre le potentiel et l'affinité protonique des anions Cl−, Br−, I− dans les sels de tetraméthyl ammonium. On observe la même relation avec une pente plus petite pour les sels de tetraéthyl ammonium. Le déplacement du potentiel augmente dans une direction négative quand la taille des ions alcoyle et tetraal coyle ammonium diminue pour un même halogénure dans l'ordre méthyl-éthyl-butyl-méthyl-phényl. Dans le cas des halogénures tetraalcoyle, on observe un déplacement similaire du potentiel d'électrode et ceci dans l'ordre Cl−-Br−-I−. Cette relation est interprétée par des processus de transfert de charge protonique sur Sn-O-H et Sn-O-alcoyle aussi bien que par adsorption des halogénures. Cette relation est en accord avec un calcul de la vitesse des processus de transfert de charge sur la surface du semiconducteur, la liaison H- de la structure de la cassitérite et la réaction: SnOx + N(Alkyl) ⇆ SnOx N(Alkyl)4+ + e + H+ ⇆ SnOx − H + N(Alkyl)4+ ⇆ SnOx−y + y(H20). Le déplacement de la réaction vers la gauche ou vers la droite dépend de la vitesse de charge et du recouvrement de la surface du semi-conducteur respectivement par les halogénures et les ions alcoyles. Die Ladungsprozesse von Tetra-Alkyl-Ammoniumsalzen in wässerigen Lösungen auf n-Typ Zinnoxyd wurden mittels Chronopotentialmessung beobachtet. Das Zinnoxyd bestand in einer Schicht auf Pyrexglas von einer Stärke von 0,5–1 × 103 Å, wie in der Methode von Tolansky der Doppelreflexion festgelegt. Nach Bildung eines gleichbleibenden Potentials wurde das Zinnoxyd kathodisch bzw. anodisch geladen. Der Einfluss der Tetra-Alkylammonium-Ionen und von Cl−, Br− und I− auf die I/Ec Kurven wurde mit und ohne Vorpolarisation von 0–2 V ermittelt. Die I/E Kurven zeigten bei Vorhandensein von Tetra-Alkylammonium salzen mit einer Konzentration von 10−3−1 M eine gewöhnliche Verschiebung des festen Zustandspotentials und zeigten das Potential der Ladungsübergangsreaktion auf den Halbleiter mit der Grösse der absorbierten Ionen. Es besteht eine lineare Potentialabhängigkeit von der Protonaffinität von Anionen in Tetramethylammoniumsalzen von Cl−, Br−, I−. Dasselbe Verhältnis mit einem kleineren Richtungskoeffizienten wurde in Tetra-äthylammoniumsalzen beobachtet. Die Potentialverschiebung erfolgt steigernd in einer negativen Richtung mit Abnahme in der Grösse von Alkyl und Tetra-alkylammonium-Ionen in der Reihenfolge Methyl-Äthyl-Butyl-Methylphenyl, mit demselben Haloge'nid. Im Falle von Tetra-Alkyl-Halogeniden wurde eine ähnliche Verschiebung des Elektrodenpotentials beobachtet und kann in der Reihenfolge Cl−-Br−-I− gezeigt werden. Diese Beziehung wird durch Proton Ladungs-Übertragungsverfahren auf Sn-O-H und Sn-O-Alkyl sowie als Adsorption von Haloge'niden gedeutet. Dieses Verhältnis stimmt mit einer Berechnung des Grades der Ladungsübertragungsverfahren auf die Halbleiteroberfläche und der H-Bindung der Kassiteritstruktur und der Reaktion SnOx + N(Alkyl) ⇆ SnOx N(Alkyl)4+ + e + H+ ⇆ SnOx − H + N(alkyl)4+ ⇆ SnOx−y + y(H2O) überein. Die Verschiebung der Reaktion nach links oder rechts hängt von dem Ladegrad ab und der Deckschicht der Halbleiteroberfläche mit Halogenid-, bzw. Alkylionen." @default.
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