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- W1972378818 abstract "A simple model is presented, that constructs the valence charge density of monoatomic semiconductors by linear superposition of appropriate diatomic molecules including the bond charges between next neighbour atoms. By means of this model the study of dynamical density properties is possible being in general calculated by full self-consistent pseudopotential schemes. An essential feature of that density variation is the bond charge transfer, which will be analyzed with respect to the variation of the next neighbour distance and the bond angle. During stretching or compressing of the next neighbour distance the variation in the |s〉 portion of the valence orbitals has to be taken into account. Using the results for silicon, which are fitted to the self-consistent outcome and to experimental data, an estimation of the transfer constants of other group-IV elemental crystals is given. The model can be applied to the interpretation of dynamical bond charge transfer influenced experiments, like pressure and temperature dependence of the “forbidden” X-ray reflection power. Es wird ein einfaches Model dargestellt, das die Valenzelektronendichte monoatomarer Halbleiter durch lineare Superposition zweiatomiger Moleküle konstruiert und die Bindungsladung zwischen nächsten Nachbarn berücksichtigt. Mit Hilfe dieses Modells ist die Untersuchung dynamischer Dichteeigenschaften möglich, die sonst nur mittels selbst-konsistenter Pseudopotentialansätze berechnet werden kann. Der wesentliche Anteil solcher Dichteänderungen, der Bindungsladungstransfer, wird bezüglich der Änderung des nächsten Nachbarabstandes und der Änderung der Bindungswinkel analysiert. Es ist zu beachten, daß sich während der Streckung bzw. Stauchung des nächsten Nachbarabstandes der |s〉-Anteil der Valenzorbitale ändert. Unter Verwendung der Ergebnisse für Silizium, die an die Resultate selbstkonsistenter Rechnungen und am Experiment angepaßt werden, werden die Transferkonstanten anderer Elementhalbleiter der vierten Hauptgruppe bestimmt. Das Modell kann zur Interpretation solcher Experimente herangezogen werden, die vom dynamischen Bindungsladungstransfer beeinflußt sind, wie z. B. die Druck- und Temperaturabhängigkeit der „verbotenen”︁ Röntgenbeugungsreflexe." @default.
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