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- W1977557622 abstract "An analysis of a fluctuation in the neighborhood of singular points of the Poisson and transport equations for a semi-insulator with negative differential conductivity due to field enhanced recombination yields a criterion for the transitions between stationary and non-stationary high-field domains. Critical voltages (domain lengths) and current oscillation frequencies are given for different saturation currents and agree well with experimental results reported for field-quenched CdS. It has been shown that, with increasing applied voltage, alternating regimes of stationary and non-stationary solutions exist for the model discussed, in agreement with recently reported experimental indications. Die Analyse einer Fluktuation in der Nähe der singulären Punkte der Poisson- und Transportgleichung für einen Halbleiter mit negativer differentieller Leitfähigkeit, die auf feldangeregte Rekombination zurückzuführen ist, ergibt ein Kriterium für die Übergänge zwischen stationären und nicht-stationären Hochfelddomänen. Für bestimmte Sättigungsströme ergeben sich bestimmte kritische Spannungen (Domänenlängen) und Frequenzen der Stromoszillationen, die gut mit den an CdS-Kristallen mit Feldtilgung erzielten experimentellen Ergebnissen übereinstimmen. Es kann gezeigt werden, daß für das diskutierte Modell bei Erhöhung der angelegten Spannung abwechselnd Gebiete mit stationären und nicht stationären Lösungen auftreten, in Übereinstimmung mit Experimenten, über die kürzlich berichtet wurde." @default.
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