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- W1983481569 abstract "STM studies of silicon MOS structures and heterostructures based on GaAs at ambient conditions are made. Both an opened surface of the structure (for MOS structure) and the cleaved surface across the structure are investigated. It is concluded that the etching of silicon in HF for several minutes does not result in an increase in average surface roughness. Using the difference in the current–voltage dependence of tunneling gap for a multilayer structure an image of all the layers composing the structure can be obtained without a complicated cleaning of the surface or disruption of the structure. Es werden STM-Untersuchungen von Silizium-MOS-Strukturen und von Heterostrukturen auf der Grundlage von GaAs an Luft vorgestellt. Es werden sowohl geöffnete Oberflächen der Struktur (für die MOS-Struktur) als auch durch die Struktur führende Spaltflächen untersucht. Es zeigt sich, daß einige Minuten andauerndes Ätzen des Siliziums in HF nicht zu einer Erhöhung der mittleren Oberflächenrauhigkeit führt. Unter Berücksichtigung des Unterschiedes in der Strom–Spannungs Abhängigkeit des Tunnelspalts für eine mehrschichtige Struktur kann man eine Abbildung der Einzelschichten ohne aufwendige oder die Oberfläche zerstörende Reinigungsprozeduren erhalten." @default.
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