FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W1984847303> ?p ?o ?g. }

• W1984847303 endingPage "1013" @default.
• W1984847303 startingPage "1003" @default.
• W1984847303 abstract "A modification of Hudock's method was used to deposit GaAs films on sapphire and on (111) semi-insulating GaAs in vacuum better than 5 × 10−8 Torr. On sapphire the crystallites increased in size with increasing substrate temperature, from about 0.6 μm at 480°C to 18 μm at 670°C. The degree of preferred orientation (〈111〉 texture) increased with increasing substrate temperature. Essentially single-crystal Laue and reflection electron diffraction patterns were obtained from films deposited at 630–640°C. Thermal-probe and Hall measurements showed that the films on sapphire were p-type with Hall mobility up to 42 cm2/V-sec. The electrical properties of the heteroepitaxial films are discussed in terms of the effects of potential barrier at the grain boundaries, space charge regions in the grains, deviation from stoichiometry and compensation of dopants. The homoepitaxial GaAs films were n-type with mobility nearer to the bulk. The higher mobility of these films indicated that hte quality of heteroepitaxial films was limited by the substrate rather than by the deposition method. Une version modifiée de la méthode de Hudock a été utilisée pour déposer des pellicules de GaAs sur du sapphire et sur du GaAs (111) mi-isolant dans un vide supérieur à 5 × 10−8 Torrs. Sur le sapphire, les cristallites ont augmenté de dimensions avec un accroissement de la température de la base de 0,6 μm environ à 480°C à 18 μm à 670°C. Le degré d'orientation préféré (texture 〈111〉) a augmenté avec la température de la base. Essentiellement on a obtenu des cristaux simples Laue et des effets de diffraction d'électrons de réflection à partir de pellicules déposées à 630–640°C. Des sondes thermiques et des mesures de Hall ont montré que les pellicules sur le sapphire étaient du type p avec une mobilité de Hall atteignant 42 cm2/V-sec. Les propriétés électriques des pellicules hétéroépitaxiales sont étudiées en termes des effets de barrière potentielle aux régions limitrophes du grain, des zones de charge spatiale des grains, de la déviation de stoichiométrie et de la compensation des dopants. Les pellicules homoépitaxiales de GaAs étaient du type n avec une mobilité plus proche de celle de la masse. La plus forte mobilité de ces pellicules indiquait que la qualité des pellicules hétéroépitaxiales était limitée par la base plutôt que par la méthode de déposition. Zur Abscheidung von GaAs-Filmen im Vakuum von 5.10−8 Torr auf Saphir und auf (111)-orientierten semiisolierendem GaAs-Substrat wurde die Methode von Hudock modifiziert. Auf Saphir erhöhte sich die Kristallgröβe mit der Substrat-temperatur von 0,6 μm bei 480°C auf 18 μm bei 670°C. Die bevorzugte Orientierung (〈111〉-Textur) bildete sich bei höherer Temperatur vollständiger aus. Laue-Beugungsbilder und Elektronenreflexionsbilder, die Einkristallen entsprechen, wurden an Filmen beobachtet, die zwischen 630 und 640°C entstanden waren. Thermische- und Hall-Messungen zeigten bei Schichten auf Saphir p-Leitung mit einer Beweglichkeit bis zu 42 cm2/Vsec. Die elektrischen Eigenschaften der Heteroepitaxieschichten werden diskutiert im Zusammenhang mit dem Einfluβ von Potentialbarrieren an den Korngrenzen, Raumladungszonen in den Kristalliten, Abweichungen von der Stöchiometrie und einer Kompensation der Dotierungsstoffe. Die homoepitaktischen Schichten waren n-leitend mit Beweglichkeiten, die den Volumenwerten näher lagen. Die höhere Beweglichkeit dieser Filme zeigt, daβ die Qualität der Heteroschichten eher durch das Substrat als durch das Abscheideverfahren begrenzt werden." @default.
• W1984847303 created "2016-06-24" @default.
• W1984847303 creator A5029450398 @default.
• W1984847303 creator A5031563398 @default.
• W1984847303 date "1971-10-01" @default.
• W1984847303 modified "2023-10-03" @default.
• W1984847303 title "Structural and electrical properties of sublimed GaAs films" @default.
• W1984847303 cites W116943649 @default.
• W1984847303 cites W1582719657 @default.
• W1984847303 cites W1979058536 @default.
• W1984847303 cites W1979276692 @default.
• W1984847303 cites W2004225654 @default.
• W1984847303 cites W2018550769 @default.
• W1984847303 cites W2021331082 @default.
• W1984847303 cites W2024147860 @default.
• W1984847303 cites W2025106106 @default.
• W1984847303 cites W2041120082 @default.
• W1984847303 cites W2045045585 @default.
• W1984847303 cites W2049868375 @default.
• W1984847303 cites W2054250862 @default.
• W1984847303 cites W2055210406 @default.
• W1984847303 cites W2058962317 @default.
• W1984847303 cites W2060810341 @default.
• W1984847303 cites W2070210737 @default.
• W1984847303 cites W2072830170 @default.
• W1984847303 cites W2074343984 @default.
• W1984847303 cites W2088715746 @default.
• W1984847303 cites W2088765482 @default.
• W1984847303 cites W2092360699 @default.
• W1984847303 cites W2117898923 @default.
• W1984847303 cites W2124197320 @default.
• W1984847303 cites W2128496303 @default.
• W1984847303 cites W2138151866 @default.
• W1984847303 cites W2138542203 @default.
• W1984847303 cites W2738077040 @default.
• W1984847303 doi "https://doi.org/10.1016/0038-1101(71)90169-9" @default.
• W1984847303 hasPublicationYear "1971" @default.
• W1984847303 type Work @default.
• W1984847303 sameAs 1984847303 @default.
• W1984847303 citedByCount "4" @default.
• W1984847303 crossrefType "journal-article" @default.
• W1984847303 hasAuthorship W1984847303A5029450398 @default.
• W1984847303 hasAuthorship W1984847303A5031563398 @default.
• W1984847303 hasConcept C111368507 @default.
• W1984847303 hasConcept C113196181 @default.
• W1984847303 hasConcept C115961682 @default.
• W1984847303 hasConcept C120665830 @default.
• W1984847303 hasConcept C121332964 @default.
• W1984847303 hasConcept C127313418 @default.
• W1984847303 hasConcept C134112204 @default.
• W1984847303 hasConcept C137637335 @default.
• W1984847303 hasConcept C144082473 @default.
• W1984847303 hasConcept C147789679 @default.
• W1984847303 hasConcept C154945302 @default.
• W1984847303 hasConcept C185592680 @default.
• W1984847303 hasConcept C191897082 @default.
• W1984847303 hasConcept C192562407 @default.
• W1984847303 hasConcept C2777289219 @default.
• W1984847303 hasConcept C2780064504 @default.
• W1984847303 hasConcept C2781195486 @default.
• W1984847303 hasConcept C41008148 @default.
• W1984847303 hasConcept C43617362 @default.
• W1984847303 hasConcept C49040817 @default.
• W1984847303 hasConcept C520434653 @default.
• W1984847303 hasConcept C57410435 @default.
• W1984847303 hasConcept C62520636 @default.
• W1984847303 hasConcept C69990965 @default.
• W1984847303 hasConcept C73922627 @default.
• W1984847303 hasConcept C8010536 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C111368507 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C113196181 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C115961682 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C120665830 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C121332964 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C127313418 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C134112204 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C137637335 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C144082473 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C147789679 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C154945302 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C185592680 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C191897082 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C192562407 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C2777289219 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C2780064504 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C2781195486 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C41008148 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C43617362 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C49040817 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C520434653 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C57410435 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C62520636 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C69990965 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C73922627 @default.
• W1984847303 hasConceptScore W1984847303C8010536 @default.
• W1984847303 hasIssue "10" @default.
• W1984847303 hasLocation W19848473031 @default.
• W1984847303 hasOpenAccess W1984847303 @default.

• next