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- W1988280267 abstract "From several GaAs epitaxial layers (n ≈︁ 1017 cm−3) on semiinsulating substrates MESFET device structures are fabricated and current noise measurements are performed between 1 kHz and 1 MHz in the range 4.4 to 300 K, to examine the influence of different epitaxial technologies on the low frequency noise. Below 20 K the noise is generally white up to 1 MHz with 1/f-noise superimposed. The white noise can be attributed to warm electron effects. Above 20 K the temperature dependence of the noise, which is mainly determined by generation-recombination processes in the conducting channel, yields several activation energies of impurities interacting with the conduction band. As far as published energy values are available good agreement could be achieved. A chart containing the relative noise intensities connected with the different impurity levels is given. Auf einer Reihe von GaAs-Epitaxieschichten (n ≈︁ 1017 cm−3) mit semiisolierendem Substrat werden MESFET-Probenstrukturen erzeugt und ihr Stromrauschen zwischen 1 kHz und 1 MHz bei Temperaturen von 4,4 bis 300 K gemessen. Unterhalb 20 K wird neben 1/f-Rauschen ein im allgemeinen bis 1 MHz weißes Rauschen gefunden, das auf Effekte warmer Elektronen zurückgeführt werden kann. Aus der Temperaturabhängigkeit des Rauschens oberhalb 20 K, das als Generations-Rekombinations-Rauschen des leitenden Kanals identifiziert wird, können zahlreiche Aktivierungsenergien von Störstellen bestimmt werden, die mit dem Leitungsband wechselwirken. Die gefundenen Energiewerte befinden sich in guter Überinstimmung mit den Ergebnissen anderer Methoden und anderer Autoren. In einer Aufstellung wird die relative Rauschintensität der verschiedenen Störniveaus angegeben." @default.
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