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- W1990437143 abstract "Thermally grown silicon dioxide layers have been studied in some detail. The work function of the oxide is lower than the silicon work function; therefore, the induced channel is n-type. The interfacial traps appear to be negligible, and oxide traps control the charge distribution. Ionic and structural changes are studied by application of electric fields at different temperatures. The relaxation times allow determination of the activation energies and diffusivity of the mobile species. Finally, the effect of metal depositions are discussed. On a étudié en détail des couches de bioxyde de silicium développées thermiquement. La fonction de travail de l'oxyde est inférieure à celle du silicium; donc, le canal induit est de type n. Les trappes interfaciales paraissent négligeables et les trappes d'oxyde contrôlent la distribution de charge. Les changements de structure et ioniques sont étudiés par applications de champs électriques à différentes températures. Les temps de relaxation permettent de déterminer les énergies d'activation et le taux de diffusion des spécimens mobiles. Finalement les effets des dépôts de Pt et Al sont discutés. Thermisch aufgewachsene Siliziumdioxyd-Schichten wurden im Einzelnen untersucht. Die Austrittsarbeit des Oxydes ist niedriger als die des Siliziums; deshalb ist der induzierte channel n-leitend. Die Rekombinationszentren in der Zwischenschicht scheinen vernachlässigbar zu sein, und die Ladungsverteilung wird durch Zentren im Oxyd beherrscht. Ionische und Struktur-Änderungen werden durch Anlegen elektrischer Felder bei verschiedenen Temperaturen untersucht. Die Abklingzeiten gestatten Bestimmung der Aktivierungsenergien und des konstanten Faktors im Diffusionskoeffizienten der beweglichen Ladungsträgersorte. Schliesslich wird die Auswirkung einer Ablagerung von Al und Pt diskutiert." @default.
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