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- W1992065168 abstract "A study has been made of contrast from small loops in ion implanted silicon using high-voltage electron microscopy. Theoretical calculations have been carried out to determine the optimum imaging conditions using many-beam dynamical theory for systematic orientations. It is found that the best imaging conditions are obtained when the crystal is set for excitation near the third order reflection (ng = 〈111〉) and second order reflection (ng = 〈220〉) conditions, respectively. It is also shown that for small loops or dipoles, defect visibility in bright and dark field as well as in the weak-beam condition is very sensitive to small changes in the deviation parameter and effective foil thickness. Mit Hochspannungselektronenmikroskopie wurde der Kontrast von kleinen Schleifen in Ionen-implantiertem Silizium untersucht. Theoretische Berechnungen wurden durch-geführt, um die optimalen Abbildungsbedingungen zu bestimmen, wobei die Vielstrahl-theorie für systematische Orientierungen benutzt wurde. Es wird gefunden, daß die besten Abbildungsbedingungen dann erhalten werden, wenn der Kristall in der Nähe der Reflexion dritter Ordnung (ng = 〈111〉) bzw. Reflexion zweiter Ordnung (ng = 〈220〉) angeregt wird. Es wird ebenfalls gezeigt, daß für kleine Schleifen oder Dipole, die Beobachtbarkeit der Defekte sowohl im Hell- und Dunkelfeld als auch in der Schwach-Strahlanordnung sehr empfindlich gegenüber kleinen Änderungen des Deviationsparameters und der effektiven Schichtdicke ist." @default.
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