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- W1993700544 abstract "Reverse C–U characteristics at various temperatures, and the frequency dependence of the barrier capacitance in AuCd1−yZnyS in the composition range 0 < y < 0.15 are reported with reference to the effect of change in composition on the donor density (Nd), the diffusion potential (Vd), and the trap density (Nt) in the depletion region. The variation of capacitance with bias voltage provides information on the density of states in the Cd1−yZnyS layers, the width of the depletion region and the diffusion potential which is very high in this case. As we shall see, that frequency dependence of the capacitance provides information on defect states in Cd1−yZnyS layers and their effective density. In general, it is found that most sets of interface state characteristics lead to nonlinear 1/C2 plots when an interfacial layer is present. C–U-Sperrcharakteristiken bei verschiedenen Temperaturen und die Frequenzabhängigkeit der Barrierenkapazität in AuCd1−yZnyS im Zusammensetzungsbereich 0 < y < 0,15 werden bezüglich des Einflusses der Zusammensetzungsänderung auf die Donatordichte (Nd), das Diffusionspotential (Vd) und die Haftstellendichte (Nt) im Verarmungsbereich. Die änderung der Kapazität mit der Vorspannung liefert Informationen über die Zustandsdichte in den Cd1−yZnyS-Schichten, die Breite der Verarmungszone und das Diffusionspotential, das in diesem Falle sehr hoch ist. Wie ersichtlich, liefert die Frequenzabhängigkeit der Kapazität Informationen über Defektzustände in Cd1−yZnyS-Schichten und ihrer effektiven Dichte. Im allgemeinen wird gefunden, daß die meisten Sätze von Grenzflächenzustandscharakteristiken zu nichtlinearen 1/C2-Darstellungen führt, wenn eine Grenzflächenschicht vorhanden ist." @default.
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