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• W1994401784 abstract "Single crystals of MoSi2 with the C11b structure have been deformed in compression at 900–1500°C. Slip of the {013}〈331〉- and/or the {013}〈331〉-type is activated depending on crystal orientation. The critical resolved shear stress (CRSS) for {013}〈331〉-slip is much higher than that for {013}〈331〉-slip. At about 1300°C where ductility is remarkably improved, 〈100〉- and 〈110〉-type ordinary dislocations are observed and the climb mobility of these dislocations is very high. The CRSS for {013}〈331〉-slip, which depends on orientation exhibits a slight anomalous peak at 1000–1100°C. The anomalous strengthening is interpreted by the cross-slip mechanism as similar to that in L12 ordered alloys. Ductility improvement of MoSi2 above about 1200°C is assisted by the formation of stacking fault which is closely related to the instability of the C11b against to the C40 structure. Des monocristaux de MoSi2 de structure C11b sont déformés par compression à 900–1500°C. Des glissements du type {013}〈331〉 et/ou {013}〈331〉 sont activés suivant l'orientation du cristal. La cission critique réduite (CCR) pour le glissement {013}〈331〉 est beaucoup plus élevée que pour le glissement {013}〈331〉. Vers 1330°C, température pour laquelle la ductilité est remarquablement améliorée, des dislocations ordinaires de types 〈110〉 et 〈110〉 sont observées et la mobilité par montée de ces dislocations est trés forte. La CCR pour le glissement {013}〈331〉, qui dépend de l'orientation révèle un faible pic anormal à 1000°1100°C. Ce durcissement anormal est interprété par un mécanisme de glissement dévié semblable à celui qui se produit dans les alliages ordonnés L12. L'amélioration de la ductilité de MoSi2 au dessus de 1220°C est favorisée par la formation de défauts d'empilement, qui est étroitement liée à l'instabilité de la structure C11b vis-à-vis de la structure C40. MoSi2-Einkristalle mit C11b-Struktur wurden im Druckversuch bei Temperaturen zwischen 900 und 1500°C verformt. Je nach Kristallorientierung wird Gleitung auf den Systemen {013}〈331〉 und/oder {013}〈331〉 aktiviert. Die kritische Flieβspannung für Gleitung auf {013}〈331〉 ist viel höher als die für {013}〈331〉-Gleitung. Bei etwa 1300°C est die Duktilität merklich verbessert. Es werden gewöhnliche Versetzungen vom Typ 〈100〉 und 〈110〉 beobachtet; die Kletterbeweglichkeit dieser Versetzungen ist sehr hoch. Die kritische Flieβspannung für Gleitung in {013}〈331〉-Systemen, welche von der Orientierung abhängt, zeigt ein schwaches anomales Maximum bei 1000–1100°C. Die anomale Festigkeitserhöhung wird mit einem Quergleitmechanuismus gedeutet, ähnlich wie bei den L12-geordneten Legierungen. Die Verbesserung der Duktilität von MoSi2 wird unterstützt durch die Bildung von Stapelfehlern, welche eng mit der Instabilität der C11b-Struktur gegenüber der C40-Struktur zusammenhängt." @default.
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