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- W1995794734 abstract "GaxIn1−xP layers are grown by LPE on (100) GaAs substrates at 746 °C using four solutions of different compositions. From the obtained linear dependences of the layer thicknesses on cooling rale it is concluded that the diffusion limited growth model holds at our growth conditions. A least-squares fit to the experimental points is used to obtain the initial supersaturations of the solutions and the value of growth rate constant. GaxIn1−xP-Schichten werden mit Hilfe der Flüssigphasenepilaxic (LPE) auf (100) GaAs-Substraten bei 746 °C aus vier Lösungen verschiedener Zusammensetzung gezüchtet. Aus der linearen Abhängigkeit der Schichtdicke von der Abkühlungsrate wird geschlußfolgert, daß es sich bei den Wachstums-bedingungen um Diffusions-begrenztes Wachstum handelt. Anpassung mil der Methode der kleinsten Quadrate an die experimentellen Punkte wird angewendet, um die Anfangsübersättigungen der Lösungen und den Koeffizienten für die Wachstumsrate zu erhalten." @default.
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