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• W2000415616 abstract "Intrinsic silicon specimens are compressed along the (2 11 1) axis and cooled under a high stress. Transmission electron microscopy (TEM) examinations show that the specimens contain hexagonal dislocation loops and very large stacking faults which are often formed by the trailing partial dislocation being pinned by a sessile jog. An in-situ TEM video recording of a 90° trailing partial moving by double kink nucleation leads to the evaluation of the kink migration energy at 1.2 eV. Hexagonal dislocation loops are found to relax to curved segments at 260 °C in specimens containing Cu compared to 350 °C for intrinsic Si specimens. The interstitial Cu atoms enhance glide motion by reducing the energy barrier heights which the kinks must surmount. The mechanism of reducing bond strength is similar to that proposed for the doping effect and is that which is responsible for low temperature formation of intermetallic compounds. Sessile jogs are found to be present in the specimens containing Cu heat treated at 260 °C, even though the hexagonal loops relaxed. The activation energy for a dislocation containing a sessile jog is higher because it involves motion of dislocation segments in the cross slip planes. Intrinsische Siliziumproben werden in Richtung der (2 11 1)-Achse komprimiert und unter hoher Spannung abgekühlt. Untersuchungen im Transmissionselektronenmikroskop (TEM) zeigen, daß die Proben hexagonale Versetzungsschleifen und sehr große Stapelfehler zeigen, die oft von der nachschleppenden Teilversetzung gebildet werden und durch einen sessilen Sprung angehaftet werden. Eine in-situ-TEM-Videoaufzeichnung einer nachschleppenden 90°-Teilversetzung, die durch einen Doppelkink-Prozeß wandert, führt zur Berechnung der Kinken-Wanderungsenergie von 1,2 eV. Es wird gefunden, daß hexagonale Versetzungsschleifen zu gekrümmten Segmenten in Proben, die Cu-Atome enthalten, bei 260 °C, gegenüber 350 °C für intrinsische Si-Proben, relaxieren. Die interstitiellen Cu-Atome erhöhen die Gleitung durch Reduzierung der Energiebarrieren-höhe, die die Kinken überwinden müssen. Der Mechanismus der Reduzierung der Bin-dungsstärke ist dem ähnlich, der für den Dotierungseffekt vorgeschlagen wird und ist der gleiche, der verantwortlich ist für die Niedertemperaturbildung der intermetallischen Verbindungen. Sessile Sprünge in den Cu-enthaltenden Proben, die bei 260 °C getempert werden, sind sogar noch nach der Relaxation der hexagonalen Schleifen vorhanden. Die Aktivierungsenergie für eine Versetzung mit einem sessilen Sprung ist höher, weil sie die Bewegung von Versetzungssegmenten in den Kreuzgleitebenen einschließt." @default.
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