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- W2000532416 abstract "A study is made of both the phases present in, and the microstructural features of, CuxS films grown topotactically on the (1120) face of a CdS single crystal using the solid state reaction. The as-grown film is lower chalcosite but djurleite forms during oxidation at room temperature. Eventually it replaces all the lower chalcosite in the region of the CuxS layer not supported by CdS. However, where the CuxS layer is in direct contact with CdS, it consists of djurleite and lower chalcosite even after 1400 h at 20 °C. Sowohl die Phasen als auch die Mikrostruktur von CuxS-Schichten werden untersucht, die topotaktisch auf der (1120)-Fläche von CdS-Einkristallen während der Festkörperreaktion wachsen. Die ursprünglich gewachsene Schicht ist niedriges Chalkosit, jedoch bildet sich Djurleitit während der Oxidation bei Raumtemperatur. Eventuell ersetzt es alles niedrige Chalkosit im Bereich der CuxS-Schicht, die nicht von CdS getragen wird. Wenn jedoch die CuxS-Schicht im direkten Kontakt mit CdS ist, besteht sie aus Djurleitit und niedrigem Chalkosit selbst nach 1400 h bei 20 °C." @default.
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