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- W2000792502 abstract "The recombination of holes and electrons through gold centres in silicon involves two recombination energy levels, a donor and an acceptor, and four capture probabilities. By comparing the low-level photoconductivity decay of gold-doped silicon samples with a theoretical expression derived from a transient solution of the recombination problem, we have determined the following values for these probabilities: Acceptor levelDonor levelαn = 1·65 × 10−9 cm3/secβn = 6·3 × 10−8 cm3/secαp = 1·15 × 10−7 cm3/secβp = 2·4 × 10−8 cm3/sec These results have been used to calculate, under high-level conditions, minority carrier lifetimes, which have then been compared with such lifetimes determined empirically from diode storage time measurements. Good agreement has been found, indicating that diode storage times can be successfully predicted. La recombinaison des électrons et trous à travers les centres d'or dans le silicium comprend deux niveaux d'énergie de recombinaison, un donneur et un accepteur et quatre probabilités de capture. En comparant la désintégration photoconductive à niveaux bas d'échantillons de silicium à dope d'or avec une expression théorique derivée de la solution transitoire du problème de recombinaison, nous avons déterminé les valeurs suivantes pour ces probabilités: Niveau d'accepteurNiveau de donneurαn = 1,65 × 10−9 cm3/secβn = 6,3 × 10−8 cm3/secαp = 1,15 × 10−7 cm3/secβp = 2,4 × 10−8 cm3/sec Ces résultats ont été employés pour calculer, à régime de hauts niveaus, la durée de vie de porteurs minoritaires qui ont été ensuite comparées avec des durées de vie déterminées empiriquement des mesures des temps d'emmagasisnement des diodes. Un bon accord a été trouvé indiquant que les temps d'emmagasinement peuvent être prédits correctement. Die Rekombination von Löchern und Elektronen durch Goldzentren in Silizium ist bestimmt durch zwei Rekombinations-Energieniveaus, nämlich einen Donator und einen Akzeptor, sowie vier Einfangwahrscheinlichkeiten. Durch Vergleichen des Abklingens der Photoleitfähigkeit bei kleiner Trägerkonzentration in golddotierten Siliziumproben mit einem theoretischen Ausdruck, der von einer nichstationären Lösung des Rekombinationsproblems abgeleitet wurde, haben wir folgende Werte für diese Wahrscheinlichkeiten bestimmt: AkzeptorniveauDonatorniveauαn = 1,65 × 10−9cm3/secβn = 6,3 × 10−8cm3/secαp = 1,15 × 10−7cm3/secβp = 2,4 × 10−8cm3/sec Diese Ergebnisse wurden benutzt, um bei grosser Trägerkonzentration die Lebensdauer von Minoritätsträgern zu ermitteln, die dann mit den Lebensdauern verglichen wurden, die empirisch aus Messungen der Dioden-Speicherzeit bestimmt wurden. Es wurde eine gute Übereinstimmung gefunden, die beweist, dass die Speicherzeit von Dioden mit Erfolg vorhergesagt werden kann." @default.
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