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• W2000938495 abstract "The spectrophotometric measurement of optical interference provides a convenient nondestructive measurement of the oxide film thickness on selected areas of a zirconium specimen, and should be capable of accurate measurement over a wide range of film thickness, if a good calibration of the interference/thickness relation is available. The refractive index and phase difference due to reflection from the interfaces have been determined for anodic oxide films on zirconium in the range of wavelength between 2000 and 2·5 μ. From these values an interference minima/film thickness graph has been calculated, and a modification to the graph has been included to allow for the effects of an absorption at 2290 in films formed by oxidation in steam and oxygen. The interference/thickness graph can be used to measure anodic, and some thermal, films up to 1 μ to an accuracy of ± 1 per cent in relative thickness and of ± 3·5 per cent in absolute thickness. For other thermal films, the use of the interference method may be limited, due to absorption in the oxide and uneven film growth. La mesure spectrophotométrique d'interférence optique permet de mesurer facilement et de façon non destructive l'épaisseur du film d'oxyde à des endroits choisis d'un échantillon de zirconium et devrait donner des mesures exactes pour une large zône d'épaisseur si un bon calibrage de la relation interfŕence/épaisseur est réalisable. Les indices de réfraction et les différences de phase dues à la réflexion des interfaces ont été déterminées pour des films anodiques d'oxyde sur le zirconium pour une zône de longueur d'onde allant de 200 à 2,5 μ. Au moyen de ces valeurs, un graphique interférence minima/épaisseur de film a été établi et une modification a été inclue pour tenir compte de l'effet d'une absorption à 2290 dans les films formés par oxydation dans la vapeur et l'oxygène. Le graphique interférence/épaisseur peut être utilisé pour mesurer les films anodiques et quelques films thermiques jusqu'à 1 μ avec une exactitude de ± 1 % en épaisseur relative et de ± 3,5 % en épaisseur absolue. Pour les autres films thermiques, l'utilisation de la méthode interférentielle peut être limitée par l'absorption dans l'oxyde et la croissance irrégulière du film. Spektrofotometrische Messungen der optischen Interferenzen stellen eine bequeme Messmöglichkeit der Oxydschichtdicke auf ausgewählten Bereichen von Zirkonproben dar und sollten die Messung in einem weiten Bereich der Schichtdicke gestatten, falls der Zusammenhang zwischen Schichtdicke and Interferenz bekannt ist. Der Brechungsindex and der Phasensprung an der Phasengrenze von anodisch erzeugten Oxydschichten auf Zirkon wurden für Wellenlängen zwischen 200 and 2,5 μ ermittelt. Aus diesen Werten wurde eine Kurve für den Zusammenhang der Interferenz-Minima mit der Schichtdicke berechnet, und eine Korrektur dieser Kurve zur Berücksichtigung der Anderungen der Absorption bei 2290 bei Filmen, die durch Oxydation in Wasserdampf and Sauerstoff entstanden sind, wurde eingefügt. Die erhaltene Kurve gestattet es, die Dicke anodisch erzeugter and einiger durch thermische Oxydation erhaltener Oxydschichtdicken bis zu 1 μ Dicke mit einer relativen Genauigkeit von ± 1 % and einer absoluten Genauigkeit von ± 3,5% zu bestimmen. Bei anderen durch thermische Oxydation erzeugten Filmen ist die Anwendbarkeit der Interferenzmethode wegen der Absorption im Oxyd and ungleichmässigen Dickenwachstum begrenzt." @default.
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