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• W2011541921 abstract "Morphological developments during 400–700°C nickel-ion irradiation of Ni-12.7 at.% Si γ/γ′ alloys were analyzed by transmission electron microscopy (TEM) and i.r.-emittance measurements. The irradiation caused thin γ′ films to form on stacking faults and γ′ tori to coat the dislocation loops surrounding these faults. Similar films, containing columnar domains of γ′ separated by anti-phase boundaries (APBs). formed at grain boundaries. Films of γ′ containing APBs also formed on the irradiated surface. The growth of these surface films changes the i.r. emittance from that of the Ni-12.7 at.% Si solid solution toward that of γ′-Ni3Si. The initial rate of this change is related to the initial film growth rate and used to determine this growth rate as a function of irradiation temperature. The film growth rate at 10−3 displacements per atom per second (dpa s−1) was small below 400°C and above 700°C, but appreciable at intermediate temperatures. The maximum growth rate (~30 Å min−1) occurred near 550°C. Film growth rate measured at 600°C was directly proportional to dose rate for dose rates from 10−4 to 10−2 dpa s−1. It is suggested that defect-solute coupling causes the film formation and growth. The temperature dependence of the film growth rate is compared with that of swelling in pure nickel and is discussed in relation to the temperature dependence of defect fluxes arriving at sinks for these defects. Nous avons analysé par microscopie électronique en transmission et par émission infra rouge les variations morphologiques d'alliages Ni-12,7 at.% Si γ/γ′, au cours de l'irradiation entre 400 et 700°C par des ions nickel. L'irradiation entraîne la formation de films minus de γ′ sur les défauts d'empilement et de tores de γ′ autour des boucles de dislocations entourant ces défauts. Des films semblables, contenant des domaines colonnaires de γ′ séparés par des parois d'antiphase (PAP). se forment aux joints de grains. Des films de γ′ contenant des PAP se forment également sur la surface irradiée. La croissance de ces films superficiels modifie l'émission infra rouge, depuis celle de la solution solide Ni-12.7 at.% Si vers celle de Ni3Si-γ′. La vitesse initiale de cette modification est liée à la vitesse initiale de croissance du film, et nous l'utilisons pour déterminer cette vitesse de croissance en fonction de la température d'irradiation. La vitesse de croissance du film pour 10−3 déplacement par atome par seconde (dpa s−1) était faible au-dessous de 400°C et au-dessus de 700°C, mais appréciable aux températures intermédiaires. Le maximum de la vitesse de croissance (~30 Å min−1) se produit près de 550°C. La vitesse de croissance du film, mesurée à 600°C, est proportionnelle au flux d'irradiation entre 10−4 et 10−2 dpas−1. Nous pensons que c'est le couplage défaut-soluté qui entraîne la formation et la croissance du film. Nous comparons la variation de la vitesse de croissance du film en fonction de la température à celle du gonflement dans le nickel pur. et nous la discutons en relation avec la variation en fonction de la température des flux de défauts arrivant aux pièges. Die morphologische Entwicklung der γ/γ′-Legierung Ni-12,7 At.%Si während der Bestrahlung mit Nickelionen bei 400–700°C wurde mittels Durchstrahlungselektronenmikroskopie und Infrarotemission untersucht. Die Bestrahlung verursachte die Bildung von γ′-Filmen an Stepelfehlern und von γ′-Ringkanälen. welche die Versetzungs-schleifen dieser Stapelfehler umhüllen. Ähnliche Filme, die säulenförmige, durch Antiphasengrenzen getrennte Domänen von γ′ enthalten, bildeten sich an Korngrenzen. Auf der bestrahlten Oberfläche bildeten sich auch Antiphasengrenzen enthaltende γ′-Filme. Das Wachstum dieses Oberflächenfilms ändert die Infrarotemission gegenüber derjenigen des Mischkristalles Ni-12.7 At.%Si in Richtung zu der von γ′-Ni3Si. Die anfängliche Änderungsrate der Infrarotemission hängt mit der anfänglichen Filmwachstumsgeschwindigkeit zusammen und wird genutzt zur Bestimmung dieser Wachstumsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Bestrahlungstemperatur. Bei einer Atomverlagerungsrate von 10−3 pro Sekunde (dpa s−1) war die Filmwachstumsgeschwindigkeit unterhalb 400°C und oberhalb 700°C klein, bei den zwischenliegenden Temperaturen jedoch beträchtlich. Maximale Wachstumsgeschwindigkeit (~30 Å min−1) trat bei 550°C auf. Die bei 600°C gemessene Wachstumsgeschwindigkeit war direkt proportional zur Dosisrate (zwischen 10−4 bis 10−2 dpas−1). Es wird nahegelegt, daβ Filmbildung und -Wachstum durch die Verkopplung Defekt-Legierungsatom bedingt ist. Die Temperaturabhängigkeit der Filmwachstumsgeschwindigkeit wird mit der Rate des Schwellens von reinem Nickel verglichen und diskutiert im Zusammenhang mit der Temperaturabhängigkeit der Defektflüsse, die an den Senken dieser Defekte ankommen." @default.
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