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• W2012004353 abstract "The defect density of B-doped a-Si: H samples prepared by magnetic field assisted high deposition rate chemical vapor deposition is investigated by the constant photocurrent method (CPM). For doping the alternative unpoisonous triethylboron (TEB) is successfully utilized. Furthermore, the dark conductivity σD and the optical parameters Tauc gap Eg, Tauc slope B, and Urbach energy E0 are determined. Eg and B do not vary within the range of doping but depend on the deposition rate. By deconvolution of the CPM spectra using a new procedure it is shown that the true valence band tail slope ET differs from E0. Both E0 and ET as well as the defect concentration Ndb0 reach a minimum at compensation which can be monitored by a minimum in σD. An analysis of the energetic distribution of the localized states is possible by assuming exponential tails and Gaussian defect distributions. The results are qualitatively and quantitatively analyzed on the base of the hydrogen mediated weak bond/dangling bond conversion model and the defect pool model. They show a very good agreement especially for the p-type samples. Es wird die Defektdichte für B-dotierte a-Si: H-Proben mittels der Methode konstanter Photoströme (CPM) untersucht. Die Proben werden mit einer Magnetfeld-unterstützen Hochrate-PECVD hergestellt. Für die Dotierung wird alternativ das ungiftige Triethylbor (TEB) eingesetzt. Weiterhin werden die Dunkelleitfähigkeit σD und die optischen Parameter Tauc-Gap Eg, Tauc Anstieg B und die Urbachenergie E0 bestimmt. Im untersuchten Dotierungsbereich variieren Eg und B nicht, sind aber von der Depositionsrate abhängig. Durch die Entfaltung der CPM-Spektren mit einer neuen Prozedur kann gezeigt werden, daß sich der wahre Valenzbandtail-Anstieg ET von E0 unterscheidet. E0 und ET sowie die Defektkonzentration Ndb0 erreichen ein Minimum im Bereich der Kompensation (σD minimal). Eine Analyse der energetischen Verteilung der lokalisierten Zustände wird durch Annahme von exponentiellen Tails und einer gaußförmigen Defektverteilung möglich. Die Resultate werden qualitativ und quantitativ auf der Basis des „hydrogen mediated weak bond/dangling bond conversion”︁-Modells und des „defect pool’︁-Modells ausgewertet. Sie zeigen eine sehr gute übereinstimmung vor allem für die p-leitenden Proben." @default.
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