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• W2012730459 abstract "An CdS-Einkristallen wurden vor und nach einer Bestrahlung bei 150 °K mit 13,5 MeV-Deuteronen Untersuchungen der Dunkelleitfähigkeit, der spektralen Verteilung der Photoleitfähigkeit, der Lebensdauer der Leitungselektronen und des Hafttermspektrums durchgeführt. Die Konzentration der durch Kernumwandlungen erzeugten Fremdatome Indium und Zinn wurde durch γ-Spektroskopie ermittelt. Aus den elektrischen Messungen folgt, daß durch den Beschuß mit einer effektiven Erzeugungsrate von ca. 5 × 10−3 cm−1 Defektniveaus bei Ec – 0,10 eV, Ec –0,42 eV und Ec –0,65 eV mit Einfangquerschnitten für Elektronen von 5 × 10−15, 1 × 10−14 bzw. 5 × 10−14 cm2 gebildet werden, die bei Raumtemperatur stabil sind. Das Zentrum bei Ec –0,42 eV tritt sowohl als Haftterm als auch als Donator in Erscheinung. Das Verhalten der Lebensdauer deutet auf die Vergrößerung der Konzentration von “class II” Rekombinationszentren bei ca. Ey + 0,15 eV hin. Es wird eine Deutung hinsichtlich der Natur der strahlungserzeugten Defektniveaus vorgeschlagen. The dark conductivity, the spectral response of the photoconductivity, the electron lifetime, and the trap distribution in CdS single crystals irradiated with 13.5 MeV deuterons at 150 °K are studied. The concentration of In and Sn created by nuclear transmutations is measured by γ-spectroscopic techniques. From the electrical measurements, it is found that defect levels which are stable at room temperature are introduced at Ec –0.10 eV, Ec – 0.42 eV, and at Ec – 0.65 eV with an introduction rate of approx. 5 × 10−3 cm−1 and with electron capture cross sections of 5 × 10−15, 1 × 10−14, and 5 × 10−14 cm2, respectively. The centre at Ec – 0.42 eV acts both as a donor and a trap. The behaviour of the electron lifetime indicates an increase in the concentration of class II recombination centres at approx. Ev + 0.15 eV. Suggestions are made as to the origin of the bombardment-induced defect levels." @default.
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