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- W2012878889 abstract "Repetitive switching from the high to the low resistance states in thin polycrystalline films of NiO and NiO(Li) is investigated. The threshold field for switching Es is 6 × 105 V/cm in NiO films and decreases with increasing Li concentration to 3 × 103 V/cm for NiO (0.4% Li) films. The switching time is 0.1 μs and recovery time is less than 3 ns. The process of dielectric breakdown occurs through the sequence of the four conduction states. The transitions between the first three states are reversible; the fourth state represents an irreversible step in the dielectric breakdown. Each conduction state is described by a specific set of I–U or G–U curves, activation energy, dielectric behavior, and transition modes to the other states. Experimental results indicate a polaronic conduction mechanism in the first conduction state. A model for the switching mechanism in terms of the delocalization of polarons is advanced. Dielectric breakdown is explained by a decomposition process resulting in formation of a metallic filament in the fourth conduction state. Es wird die periodische Umschaltung vom hohen zum niedrigen Widerstandszustand in dünnen, polykristallinen NiO- und NiO(Li)-Schichten untersucht. In nichtdotierten Schichten beträgt das Schaltungsgrenzfeld Es 6 × 105 V/cm und verringert sich mit steigender Li-Konzentration bis zu 3 × 103 V/cm für NiO (0,4% Li)-Schichten. Die Schaltdauer ist 0,1 μs, und die Erholungsdauer weniger als 3 ns. Der Prozeß des dielektrischen Zusammenbruchs findet in einer Reihenfolge von vier Zuständen der Leitfähigkeit statt. Der Übergang zwischen den ersten drei Zuständen ist umkehrbar, der vierte Zustand stellt einen nicht umkehrbaren Schritt im dielektrischen Zusammenbruch dar. Jeder Leitfähigkeitszustand wird durch einen spezifischen Satz von I–U- oder G–U-Kurven, Aktivierungsenergien, dielektrischen Verhaltensweisen und Übergangsmoden zu anderen Zuständen beschrieben. Die experimentellen Ergebnisse deuten auf einen Polaronen-Leitungsmechanismus im ersten Leitungszustand hin. Es wird ein Modell für den Schaltungsmechanismus als Funktion der Delokalisation der Polaronen vorgeschlagen. Der dielektrische Zusammenbruch wird durch einen Zerfallsprozeß erklärt, der mit der Bildung einer metallischen Faser im vierten Leitungszustand in Zusammenhang gebracht wird." @default.
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