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• W2013681432 abstract "Combining the spectral function of the stimulated emission and the basic I–V characteristics of the GaAs laser, the relations among the lasing wavelength, the threshold current density and the impurity concentration are deduced. The lasing wavelength increases with increasing impurity concentration in the active region due to the effective shrinkage of the energy gap and with the decreasing threshold current density. Assuming the same concentration of the p -type impurity in the active layer as that of the n -type impurity in the substrate, the effective energy gaps E G eff of 1·467 0 , 1·456 5 and 1·437 5 eV are obtained for impurity concentrations of 1·1×10 18 , 3×10 18 and 5×10 18 cm −3 at 77°K, respectively. The observed temperature dependence of the lasing wavelength in the range from 77 to 200°K is in good agreement with our theory. On déduit les relations entre la longueur d'onde produisant l'effet laser, la densité de courant limitative et la concentration d'impureté en combinant la fonction spectrale de l'émission stimulée et les caractéristiques principales C-T. La longueur d'onde produisant l'effet laser augmente en fonction de l'augmentation de la concentration d'impuretés dans la région active grâce au retrécissement efficace de l'intervalle d'énergie et en fonction de la réduction de la densité de courant limitative. En assumant une concentration d'impuretés de type p dans la couche active égale à celle de type n dans la couche inférieure, des intervalles d'énergie effectifs E G eff de 1,467 0 , 1,456 5 et 1,437 5 eV ont été obtenus pour des concentrations d'impuretés de 1,1×10 18 , 3×10 18 et 5×10 18 cm −3 à 77°K respectivement. La dépendance de température de la longueur d'onde observée produisant l'effet laser dans la gamme de 77 à 200°K est en bon accord avec notre théorie. Aus der Kombination der Spektralfunktion für die stimulierte Emission und der I–V-Kennlinie eines GaAs-Lasers werden Beziehungen zwischen der emittierten Wellenlänge, der Schwellstromdichte und der Störctellenkonzentration abgeleiter. Die emittierte Wellenlänge wächst mit wachsender Störstellenkonzentration in der aktiven zone entsprechend der effektiven Schrumpfung des Bandabstands mit abnehmender Schwellstromdichte. Unter der Annahme, dass die Akzeptorkonzentration in der aktiven Schicht gleich der Donatorkonzentration im Substrat ist, ergeben sich die effektiven Bandabstände 1,467 0 , 1,456 5 und 1,437 5 eV für die Störstellenkonzentrationen 1,1×10 18 , 3×10 18 und 5×10 18 cm −3 bei 77°K. Die beobachtete Temperaturabhängigkeit der emittierten Wellenlängen im Bereich zwischen 77 und 200°K stimmt gut mit unserger Theorie überein." @default.
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