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- W2013840365 abstract "A theoretical model is given from which the equivalent circuit is derived for a p–n hetero-junction taking into account the relaxation of interface states of both the donor and acceptor type. Experimental data are given describing the behaviour of the incremental capacitance and conductance of n-Si–p-Ge diodes. A value is derived for the conduction band discontinuity of (0.34 ± 0.04) eV decreasing with temperature by (3.6 ± 2.0) × 10−4 eV deg−1 over the range 18 to 160 °C. The relaxation effects are described by the presence of 2.5 × 1012 donor-type interface states per cm2 having a mean activation energy of 0.075 eV with a relaxation time of 2.6 × 10−8 s. Es wird ein theoretisches Modell angegeben, aus dem das Äquivalentschaltbild für einen p–n-Heteroübergang abgeleitet wird, wobei die Relaxation von Zwischenflächenzuständen vom Donator- und Akzeptortyp berücksichtigt wird. Experimentelle Werte werden angegeben, die das Verhalten der zusätzlichen Kapazitanz und Konduktanz von n-Si–p-Ge-Dioden beschreiben. Ein Wert für die Leitungsbanddiskontinuität von (0,34 ± 0,04) eV, der mit der Temperatur ((3,6 ± 2,0) × 10−4 eV grad−1) im Bereich von 18 bis 160 °C abnimmt, wird abgeleitet. Die Relaxationseffekte werden durch die Anwesenheit von 2,5 × 1012 Zwischenflächenzuständen pro cm2 vom Donatortyp mit einer mittleren Aktivierungsenergie von 0,075 eV und einer Relaxationszeit von 2,6 × 10−8 s beschrieben." @default.
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