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- W2014748864 abstract "Es wird über den Einfluß der Substratoberfläche auf die Kristallperfektion von Siliziumepitaxieschichten berichtet. Die untersuchten Schichten waren aus der Gasphase epitaktisch auf korrespondierende Spaltflächenpaare aufgewachsen. Zur Untersuchung verschiedener Wachstumsparameter wurde jeweils eine Spiegelfläche als „Normal”︁ benutzt. Die bei diesen Arbeiten erzielten Ergebnisse werden an einigen typischen licht- und emissionselektronenmikroskopischen Abbildungen diskutiert. [Russian Text Ignored]." @default.
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