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• W2015831401 abstract "An AunGaAs-Schottkykontakten wurden Strom-Spannungsmessungen zwischen 77 und 353°K und Kapazitätsmessungen bei Zimmertemperatur durchgeführt. Die Dotierung des GaAs betrug 3 × 1016cm−3, die Orientierung war (100). Es wurde besonders der Einfluß einer speziellen Argonätzung und verschiedener Nachbehandlungstemperaturen zwischen 25 und 320°C studiert. Für die resultierenden Strom-Spannungsbeziehungen läßt sich ein Ausdruck angeben, in dem sowohl die Temperaturspannung UT als auch die effektive Richardsonkonstante A+ durch experimentell gefundene Werte V0 bzw. A2+ ersetzt sind. Für A2+ und V0 werden verschiedene Kurven angegeben. Es zeigt sich, daß durch den Argon-Ionenbeschuß eine starke Änderung der Barrierenhöhe φb und ein wesentlich erhöhter Reststrom Is in Abhängigkeit von der Temperung auftritt. Measurements of current and voltage were realized on AunGaAs-Schottkycontacts between 77 and 353°K and measurements of capacity at a normal degree of temperature. The doping of GaAs was 3 × 1016 cm−3, the orientation (100). Especially the influence of a special cathodic etching (argon) and of different annealing temperatures between 25 and 320°C was studied. For the I–V-characteristic an expression is given in which the voltage UT as well as the effective Richardson constant A+ are replaced by the values V0 and A2+ that are determined experimentally. Several diagrams showing A2+ and V0 are given. It is shown that after the argon ion etch process a strong change of the barrier height φb and a considerable increase of the saturation currents Is results due to the annealing process. On a effectué des mesures sur les contacts Schottky (AunGaAs) pour trouver le rapport courant-tension entre 77 et 353°K et des mesures de capacité à température normale; le dopage du GaAs étant de 3 × 1016 cm−3 et l'orientation de (100). On a plus particulièrement étudié l'influence du bombardement d'Argon et des variations de température entre 25 et 320°C. On peut exprimer la rélation resultante courant-tension de la façon suivante: en remplaçant la tension de la température UT et la constante Richardson A+ par des valeurs V0 et A2+ fournies par des expériences. On donne un certain nombre de courbes avec A2+ et V0. On s'aperçoit qu'il y a un grand changement de hauteur de barrière φb dû au bombardement d'Argon et une augmentation d'intensité du courant residuel dependant de la température." @default.
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