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- W2015909564 abstract "Electrical conductivity and thermoelectric power of flash evaporated amorphous films of InSb and GaAs are investigated as a function of temperature of boat (evaporation temperature), substrate temperature, deposition at an angle of incidence of vapour beam, and annealing treatment. The properties of the films are very sensitive to the boat temperature; the range of exponential variation of the conductivity with inverse temperature and the corresponding activation energy increase with boat temperature. The thermoelectric power also shows large changes, being relatively temperature independent for films deposited at low boat temperatures and strongly temperature dependent for films deposited at high boat temperatures. The effects of substrate temperature are qualitatively similar to those of evaporation temperature. Annealing of as-deposited films increases the temperature dependence of the conductivity as well as the thermoelectric power. Electron microscopy and diffraction studies suggest that these results are due to occurrence of an excess of group V element in the film. The excess is a function of the evaporation and deposition temperatures. Es werden die elektrische Leitfähigkeit und die Thermospannung von extrem schnell aufgedampften amorphen InSb- und GaAs-Schichten als Funktion der Temperatur des Verdampfungsschiffchens (Aufdampftemperatur), Substrattemperatur, Aufdampfung unter einem Einfallswinkel des Dampfstrahls und Temperung untersucht. Die Eigenschaften der Schichten hängen empfindlich von der Aufdampftemperatur ab, wobei der Bereich der exponentiellen Abhängigkeit der Leitfähigkeit mit der inversen Temperatur und die entsprechende Aktivierungsenergie mit der Schiffchentemperatur zunehmen. Die Thermospannung zeigt ebenfalls große Änderungen; sie ist relativ temperaturunabhängig für bei niedrigen Aufdampftemperaturen aufgebrachte Schichten und stark temperaturabhängig für Schichten, die bei hohen Verdampfungstemperaturen aufgebracht werden. Die Einflüsse der Substrattemperatur sind denen der Aufdampftemperatur ähnlich. Eine Temperung der Schichten sofort nach Aufbringen erhöht sowohl die Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit als auch der Thermospannung. Elektronenmikroskopie und Beugungsuntersuchungen zeigen, daß diese Ergebnisse durch einen Überschuß des Elements der V. Gruppe in der Schicht verursacht werden. Dieser Überschuß ist eine Funktion der Aufdampf-und Niederschlagstemperatur." @default.
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