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- W2016058178 abstract "1 Galliumchlorid reagiert in Gegenwart von Chlor mit Graphit ebenso leicht wie Aluminiumchlorid. Je nach den Reaktionsbedingungen entstehen eine 1, 2. oder 4. Stufe mit GaCl3 in jeder, bzw. in jeder 2. oder 4. Schichtenlücke des Graphitgitters. Durch die Einlagerung wird der Abstand der C-Schichten auf 9,5 kX vergrößert. Die erste Stufe ist tiefblau und enthält bis zu 60% GaCl3. Alle Präparate wirken oxydierend auf KJ-Lösung und enthalten mehr Chlor, als der Menge des eingelagerten Halogenids entspricht. Das Verhältnis Ga:Cl liegt zwischen 1:3,2 bis 1:3,4. 2 InCl3 gibt mit Graphit nur eine 2. Stufe mit bis zu 55% InCl3 und einem In:Cl-Verhältnis, das nahe bei 1:3,0 liegt. Röntgenographisch läßt sich zeigen, daß das Halogenid in Form von einzelnen zusammenhängenden Schichtpaketen zwischen die C-Ebenen eingelagert ist. Beim Behandeln mit Wasser, Säuren und organischen Lösungsmitteln geht nur ein kleiner Teil des eingelagerten InCl3 in Lösung. Es wird nachgewiesen, daß ausgewaschene InCl3- und FeCl3-Graphitpräparate stets inhomogen sind. Die Kristalle bestehen aus einem Kern der unzersetzten Graphitverbindung, der durch eine Graphithaut vor dem weiteren Angriff des Lösungsmittels geschützt ist ." @default.
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