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• W2017489541 abstract "A general procedure for building static models of interfaces, which involves a change in phase-specific construction rules at the boundary plane, is outlined. Its application to tetrahedrally coordinated materials shows that an amorphous-crystalline interface model can be created by replacing the ‘chair’-type sixfold rings (typical of the crystal) by a mixture of different ones (typical of the amorphous phase). The interface consists of two crystalline and two amorphous layers. The detailed topologies, bond angle distortions and radial distribution functions for each of the four layers are reported. The surface tension has a large energetic component due to the excess strain energy in both the amorphous and crystalline interface layers. For Ge the estimated surface tension is 0.23 J m−2. This is used to show that the model, which contains no dangling bonds, represents a state of minimum energy. Application to the problem of creating a model for amorphous Ge by connecting randomly oriented crystallites with a random network matrix shows that such a model consists of more than 80% random network. Finally it is pointed out that the interface model is a starting point for a detailed description of the crystallization process. On présente un procédé général permettant de construire des modèles statiques d'interfaces: ce procédé met en oeuvre un changement des règles de contruction des phases dans le plan du joint. Son application aux matériaux de coordination tétraèdrique montre que l'on peut créer un modèle pour un interface amorphe-cristallin en remplaçant les anneaux d'ordre six (typiques du cristal) par un mélange de différents types (typiques de la phase amorphe). L'interface est constitué par deux couches cristallines et deux couches amorphes. On présente ici les topologies détaillées, les distorsions des angles des liaisons et les fonctions de distribution radiale pour chacune des quatre couches. La tension superficielle présente une composante énergétique importante due à l'excès d'énergie élastique dans les couches amorphes et cristallines de l'interface. Dans le cas du germanium, on estime la tension superficielle à 0,23 Jm−2. On l'utilise pour montrer que le modèle dans lequel il n'y a pas de liaison libre correspond à l'état d'énergie minimale. L'application à la création d'un modèle pour le germanium amorphe en réunissant des cristallites d'orientation aléatoire par une matrice formant un réseau aléatoire montre qu'il y a plus de 80% de réseau aléatoire. On montre enfin que le modèle d'interface sert de point de départ pour une description détaillée de la cristallisation. Es wird eine allgemeine Prozedur entworfen, statische Modelle von Grenzflächen aufzubauen; diese enthalten einen Wechsel in den phasenspezifischen Aufbauregeln an der Grenzflächenebene. Die Anwendung auf tetraedrisch geordnete Materialien zeigt, daβ ein Modell einer amorphkristallinen Grenzfläche aufgebaut werden kann, wenn die ‘Stuhl’-artigen Sechserringe (typisch für den Kristall) durch eine Mischung verschiedener Ringe (typisch für die amorphe Phase) ersetzt werden. Die Grenzfläche besteht aus zwei kristallinen und zwei amorphen Lagen. Die genaue Topologie, die Verzerrungen der Bindungswinkel und die radialen Verteilungsfunktionen werden für jede dieser Lagen angegeben. Die Oberflächenspannung hat eine groβe energetische Komponente, die von der Verzerrungsenergie in den amorphen und den kristallinen Lagen herrührt. Für Ge wird die Oberflächenspannung zu 0,23 J m−2 abgeschätzt. Dieser Wert wird für den Nachweis benutzt, daβ das Modell, welches keine freien (‘dangling’) Bindungen enthält, den Zustand minimaler Energie beschreibt. Die Anwendung auf das Problem, ein Modell für amorphes Ge durch die Verbindung beliebig orientierter Kristallits mit einem beliebigen Netz aufzubauen, zeigt, daβ ein solches Modell zu über 80% aus diesem Netz besteht. Abschlieβend wird darauf hingewiesen, daβ das Grenzflächenmodell einen Ausgangspunkt für die ausführliche Beschreibung des Kristallisationsprozesses darstellt." @default.
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