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- W2018179637 abstract "[Russian Text Ignored]. Es werden die Bedingungen für das Auftreten eines Photoeffektes bei Störstellenanregung diskutiert. Der Störstellen- und Grundgitter-Photovoltaische Effekt an n- und p-SiC mit legierten p-n Übergängen wurde untersucht durch Messung der Photo-EMK in Abhängigkeit von Photonenenergie, Temperatur und Lichtintensität. Die spektrale Verteilung der Störstellen-Photo-EMK ist in guter Übereinstimmung mit der von TOMASHPOLSKI und KHOLUYANOV gemessenen spektralen Verteilung der Elektrolumineszenz. Für n-SiC wurde die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger abgeschätzt." @default.
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