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- W2019908808 abstract "C3H8 was added in order to obtain stoichiometric β-SiC in the MTS + H2 CVD system. The experiments were carried out by using a cold-wall reactor under atmospheric pressure in the temperature range 1100–1500°C. XRD, Vickers microhardness tester and SEM were used in characterizing the stoichiometry and morphology. In the absence of C3H8 the temperature required for the deposition of stoichiometric SiC was above 1500°C, otherwise excess Si was codeposited with SiC. With C3H8 addition, however, stoichiometric SiC could be obtained even at temperatures as low as 1200°C and the preferred orientation was changed from (220) to (111). The microstructure and hardness value were related to the preferred orientation and stoichiometry of the coating layers, respectively. Es wurde die Zugabe von C3H8 im System MTS + H2 CVD mit dem Ziel untersucht, stöchiometrisches β-SiC herzustellen. Die Experimente wurden mittels eines Kalt-Wand-Reaktors unter atmosphärischem Druck im Temperaturbereich von 1100°C bis 1500°C durchgeführt. Um die Morphologie und die Zusammensetzung zu untersuchen, wurden Röntgendiffraktometrie, die Messung der Mikrohärte und Rasterelektronenmikroskopie herangezogen. Wird kein C3H8 zugegeben, so liegt die Abscheidungstemperatur stöchiometrischen SiC oberhalb von 1500°C. Bei tieferen Temperaturen scheidet sich ein Überschuß an Si zusammen mit SiC ab. Mit der Zugabe von C3H8 kann stöchiometrisches SiC bereits bei Temperaturen unterhalb von 1200°C gebildet werden, wobei die Vorzugsorientierung von (220) zu (111) wechselt. Das Gefüge und die Härtewerte wurden mit der Vorzugsorientierung und der Zusammensetzung der Beschichtung in Verbindung gesetzt. Par ajout de C3H8 au système MTS + H2, on obtient une phase β-SiC stoechiométrique par dépôt chimique en phase vapeur. Les expériences ont été réalisées en utilisant un réacteur à parois froides, sous pression atmosphérique, dans la gamme de température 1100–1500°C. Pour les caractérisations stoechiométriques et morphologiques, on a utilisé les RX, la microdureté Vickers et la microscopie électronique à balayage. En l'absence de C3H8, le dépôt de SiC stoechiométrique requiert une température supérieure à 1500°C, sinon l'excès de Si se codépose avec SiC. Par contre, avec un ajout de C3H8, le dépôt de SiC stoechiométrique peut même être obtenu à des températures aussi basses que 1200°C et l'orientation préférentielle passe du plan (220) au plan (111). La microstructure et la dureté sont respectivement reliées à l'orientation préférentielle et à la stoechiométrie des couches déposées." @default.
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