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- W2019925271 abstract "Reflectance and transmittance in the IR spectral range are investigated on Sb2−xInxTe3 (x = 0.00 to 0.37) single crystal samples grown by a modified Bridgman method. By fitting the reflectance spectra the values of the plasma resonance frequency ωp, optical relaxation time τ, and high-frequency dielectric constant ε∞are determined. With increasing indium concentration in the samples these quantities decrease from the values ωp = 1.88 × 1014 s−1, τ = 2.4 × 10−14 s, and ε∞ = 55 for x = 0.00 down to the values ωp = 0.81 × 1014 s−1, τ = 0.8 × 10−14 s, and ε∞ = 41 for x = 0.37. The observed variations are qualitatively accounted for by interaction of substitutional In defects arising on building of In atoms into the Sb2Te3 lattice with anti-site Sb defects. The transmittance curves permit to determine the dependence of the absorption coefficient x on incident photon energy. The change in the width of the optical gap with increasing In concentration in the samples is discussed. The values of the exponent α in the relation x ∼ λα for the long-wavelength absorption edge drop from 2.5 for Sb2Te3 to 1.2 for Sb1.63In0.37Te3. An den Proben von 2−xInxTe3-Einkristallen (x = 0,00 bis 0,37), dargestellt nach der modifizierten Bridgman-Methode, werden Reflektivität und Transmission im IR-Bereich ermittelt. Durch das Anpassen der Reflexionsspektren werden die Werte der Plasma-Resonanzfrequenz ωp, der optischen Relaxationszeit τ und der Hochfrequenz-Dielektrizitätskonstante ε∞ bestimmt. Mit zunehmender Indium-Konzentration sinken in den Proben die angegebenen Größen von ωp = 1,88 × 1014 s−1, τ = 2.4 × 10−14 s und ε∞ = 55 für x = 0,00 zu Werten ωp = 0,81 × 1014 s−1, τ = 0,8 × 10−14 s und ε∞ = 41 für x = 0,37. Die beobachteten Veränderungen werden qualitativ durch Wechselwirkung der im Sb2Te3-Gitter entstehenden Substitutionsstörstellen In, mit Antistrukturdefekten Sb erklärt. Aus dem Verlauf der Transmission wird die Abhängigkeit des Absorptionskoeffizienten x von der Energie einfallender Photonen ermittelt. Die Veränderung der optischen Breite der Bandlücke mit zunehmender In-Konzentration in den Proben wird diskutiert. Die ermittelten Werte des Exponenten α aus der Relation x ∼ δα für die langwellige Absorptionskante sinken von 2,5 für Sb2Te3 zu 1,2 für Sb1.63In0.37Te3." @default.
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