FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2020189424> ?p ?o ?g. }

• W2020189424 endingPage "206" @default.
• W2020189424 startingPage "199" @default.
• W2020189424 abstract "In multi-wafer deposition of Si/Ge thin films from silane, germane mixtures at low-temperature epitaxy conditions not only the depletion of the silicon source but also of the germanium source along the reactor tube axis has to be counteracted in order to get homogeneous layer thickness as well as composition. Carrier gas throughput must be minimized to have a sufficient effective chemical reaction rate at low temperature. Thus it cannot be used to flatten layer growth along the susceptor. Yet the addition of a chemically reactive gas, as for instance hydrogen chloride, is suitable to ensure a nearly constant content of the layer forming source gases along the reactor tube. On the other hand hydrogen chloride may infiltrate additional contaminants leading for instance to high oxygen concentration in the deposited layer. However, oxygen soluted or precipitated changes particular features of Si/Ge behaviour for instance during the thin film growth, the following technological stress of the wafer, or the running electronic structures of microelectronic devices. Im Mehrscheibenprozeß zur Abscheidung von Si Ge Dünnschichten unter den Bedingungen der Niedertemperaturepitaxie muß man nicht nur der Abreicherung des Silans sondern auch der des Germans längs der Abscheidezone entgegenwirken, damit Homogenität sowohl für die Schichtdicke als auch für die Schichtzusammensetzung erreicht wird. Der Trägergasdurchsatz muß minimiert werden, damit bei entsprechend niedrigen Temperaturen ein genügend großer chemischer Reaktionsumsatz gewährleistet ist. Somit kann die Schichtswachstumsrate nicht durch einen hohen Trägergasstrom längs des Suszeptors eingeebnet werden. Durch den Zusatz eines chemisch reaktiven Gases, wie zum Beispiel von Chlorwasserstoff, kann man jedoch einen nahezu konstanten Gehalt der schichtbildenden Quellgase längs des Suszeptors einstellen. Andererseits können durch den Chlorwasserstoff zusätzliche Verunreinigungen eingeschleppt werden, die dann zum Beispiel eine Erhöhung des Sauerstoffgehaltes in der Schicht hervorrufen. Unabhängig davon ob Sauerstoff in gelöster oder ausgeschiedener Form in der Schicht vorliegt, können dadurch spezielle SiGe-Charakteristika verändert werden, wie zum Beispiel das Schichtwachstumsverhalten, die Verträglichkeit nachfolgender Bearbeitungsbelastungen oder die Funktion elektronischer Strukturen in Mikroelektronikbauelementen." @default.
• W2020189424 created "2016-06-24" @default.
• W2020189424 creator A5032341361 @default.
• W2020189424 creator A5033994466 @default.
• W2020189424 creator A5044464214 @default.
• W2020189424 creator A5069381595 @default.
• W2020189424 creator A5070829190 @default.
• W2020189424 date "1994-01-01" @default.
• W2020189424 modified "2023-09-26" @default.
• W2020189424 title "On chemically vapour-deposited Si/Ge growth in a multi-wafer deposition process at atmospheric pressure" @default.
• W2020189424 cites W1993557228 @default.
• W2020189424 cites W2017177171 @default.
• W2020189424 cites W2019077132 @default.
• W2020189424 cites W2029629052 @default.
• W2020189424 cites W2044100850 @default.
• W2020189424 cites W2053306574 @default.
• W2020189424 cites W2060730161 @default.
• W2020189424 cites W2067499587 @default.
• W2020189424 cites W2078606053 @default.
• W2020189424 cites W2081087367 @default.
• W2020189424 cites W2081346747 @default.
• W2020189424 cites W2082619043 @default.
• W2020189424 cites W2092175249 @default.
• W2020189424 cites W2108876202 @default.
• W2020189424 doi "https://doi.org/10.1002/crat.2170290207" @default.
• W2020189424 hasPublicationYear "1994" @default.
• W2020189424 type Work @default.
• W2020189424 sameAs 2020189424 @default.
• W2020189424 citedByCount "1" @default.
• W2020189424 crossrefType "journal-article" @default.
• W2020189424 hasAuthorship W2020189424A5032341361 @default.
• W2020189424 hasAuthorship W2020189424A5033994466 @default.
• W2020189424 hasAuthorship W2020189424A5044464214 @default.
• W2020189424 hasAuthorship W2020189424A5069381595 @default.
• W2020189424 hasAuthorship W2020189424A5070829190 @default.
• W2020189424 hasConcept C111368507 @default.
• W2020189424 hasConcept C113196181 @default.
• W2020189424 hasConcept C127313418 @default.
• W2020189424 hasConcept C127413603 @default.
• W2020189424 hasConcept C151730666 @default.
• W2020189424 hasConcept C160671074 @default.
• W2020189424 hasConcept C171250308 @default.
• W2020189424 hasConcept C178790620 @default.
• W2020189424 hasConcept C179104552 @default.
• W2020189424 hasConcept C185592680 @default.
• W2020189424 hasConcept C192562407 @default.
• W2020189424 hasConcept C200239111 @default.
• W2020189424 hasConcept C2776154250 @default.
• W2020189424 hasConcept C2779227376 @default.
• W2020189424 hasConcept C2779523567 @default.
• W2020189424 hasConcept C2781087020 @default.
• W2020189424 hasConcept C2816523 @default.
• W2020189424 hasConcept C42360764 @default.
• W2020189424 hasConcept C512968161 @default.
• W2020189424 hasConcept C544956773 @default.
• W2020189424 hasConcept C550623735 @default.
• W2020189424 hasConcept C57410435 @default.
• W2020189424 hasConcept C64297162 @default.
• W2020189424 hasConcept C86803240 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C111368507 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C113196181 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C127313418 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C127413603 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C151730666 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C160671074 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C171250308 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C178790620 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C179104552 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C185592680 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C192562407 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C200239111 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C2776154250 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C2779227376 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C2779523567 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C2781087020 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C2816523 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C42360764 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C512968161 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C544956773 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C550623735 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C57410435 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C64297162 @default.
• W2020189424 hasConceptScore W2020189424C86803240 @default.
• W2020189424 hasIssue "2" @default.
• W2020189424 hasLocation W20201894241 @default.
• W2020189424 hasOpenAccess W2020189424 @default.
• W2020189424 hasPrimaryLocation W20201894241 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W1990947937 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2011274608 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2012629412 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2065502289 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2071910194 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2081346747 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2082549154 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2087126663 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W3120152692 @default.
• W2020189424 hasRelatedWork W2141830666 @default.
• W2020189424 hasVolume "29" @default.

• next