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- W2022659385 abstract "Zusammenfassung Mit Hilfe eines verteilten Transistormodells wird der Einflus des Basisbahnwiderstandes und der Ladungstragermultiplikation in der Kollektorsperrschicht auf das Ausgangskennlinienfeld von Planartransistoren berechnet. Dabei beschrankt sich die Arbeit auf den Kennlinienbereich, bei dem das Produkt aus Multiplikationsfactor und Stromverstarkung (in Basisschaltung) groser als eins ist. Bei konstanter Basis-Emitter-Spannung treten bei einem bestimmten Basisstrom rucklaufige Kennlinien auf. Dieser Strom ist nur vom Schichtwiderstand der Basis unter dem Emitter und der Emitterstruktur abhangig. Bei konstantem Emitterstrom schnurt sich die injizierende Emitterflache bei einem endlichen Basisstrom nicht nur bei Zylinder sondern auch bei Streifengeometrie punktformig ein, so das die Raumladung in der Kollektorfeldzone durch bewegliche Ladungstrager modifiziert wird. Je nach Beschaffenheit der Epitaxschicht wird hierdurch der Kennlinienverlauf verschiedenartig beeinflust. Experimentelle Ergebnisse zeigen eine zufriedenstellende Ubereinstimmung mit der Theorie." @default.
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