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• W2022777739 abstract "The temperature distribution along the vertical pores of the anodic oxide films on aluminium was calculated for usual conditions of anodizing in 10% sulphuric acid solution by taking into account the accumulation of both Joule heat and the heat of formation of oxide at the pore-base and the outward conduction of heat through the solution-filled pore. The results show that a steady state of distribution is established at any instant and at any film thickness during anodizing and that the temperature rise at the pore-base is always negligibly small. This conclusion was confirmed by some experiments on the dissolution behaviour of oxide films. It was demonstrated that small changes in the bulk solution temperature significantly affect the dissolution rate and anodizing current. It was also shown that the dissolution rate of oxide at the pore-base is almost constant irrespective of the film thickness and of the time of anodizing. This rate was evaluated in the manner reported previously by subtracting the dissolution rate at the side walls of the pores from the total dissolution rate. These facts are in direct opposition to the ‘thermal mechanism’ and suggest that the extra-high rate of dissolution during anodizing almost certainly results from the high electrical field applied across the barrier layer. La distribution de température le long des pores verticaux des films d'oxyde anodique sur aluminium a été calculée dans les conditions usuelles d'anodisation en solution d'acide sulfurique à 10%, en tenant compte conjointement de l'échauffement, de Joule, de la chaleur de formation de l'oxyde à la base des pores et de la fuite thermique par conduction à travers la solution emplissant les pores. Les risuitats montrent qu'un état stationnaire de cette distribution est atteint à tout instant, quelle que soit l'épaisseur du film durant l'anodisation et que l'élévation de temperature à la base des pores est toujours négligeable. Cette conclusion a été conformée par quelques expériences sur le processus de dissolution des films d'oxyde. On montre que de petites variations de température au coeur de la solution affectent notablement la vitesse de dissolution et le courant d'anodisation. On montre aussi que la vitesse de dissolution de l'oxyde à la base des pores est presque constante quels que soient l'épaisseur du film et le temps d'anodisation. Cette vitesse a été calculée, comme il l'a été décrit précédemment, en soustrayant la vitesse de dissolution des parois latérales des pores de la vitesse de dissolution totale. Ces faits sont en opposition directe avec “le mécanisme thermique” et suggérent que la vitesse de dissolution, extrêmement grande durant l'anodisation, résulte presque toujours du champ électrique élevé appliqué au support de la couche. Man berechnete die Temperaturverteilung entlang der vertikalen Poren von anodischen Oxydschichten auf Aluminium bei üblichen Formierungsbedingungen in 10%iger Schwefelsäure. Dabei wurde berücksichtigt, dass sich an der Porenbasis sowohl Joule'sche als auch Bildungswärme des Oxyds akkumulieren, und somit durch die mit Lösung gefüllten Poren ein nach aussen gerichteter Wärmestrom auftritt. Die Resultate zeigen, dass sich während der Formierung zu jedem Zeitpunkt und bei jeder Schichtdicke ein Temperaturgleichgewicht einstellt, und die Temperaturzunahme am Porengrund stets vernachlässigbar klein bleibt. Dieser Schluss wurde bestätigt durch einige Experimente über das Auflösungsverhalten von Oxydschichten. Man konnte zeigen, dass kleine Änderungen der Lösungstemperatur bereits einen merklichen Einfluss auf die Auflösungsgeschwindigkeit und auf den Formierungsstrom haben. Es zeigte sich ebenfalls, dass die Auflösungsgeschwindigkeit an der Porenbasis, unabhängig von der Schichtdicke und der Formierungszeit, praktisch konstant ist. Diese Geschwindigkeit war nach einer früher besprochenen Methode berechnet worden als Differenz zwischen der berechneten Auflösungsgeschwindigkeit der Porenwände und der totalen Auflösungsgeschwindigkeit. Diese Ergebnisse stehen im Widerspruch zum “thermischen Mechanismus” und geben Grund zur Annahme, dass die besonders hohe Auflösungsgeschwindigkeit während der Formierung von dem starken elektrischen Feld herrührt, das an der Sperrschicht herrscht." @default.
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