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- W2023446843 abstract "Das Absorptionsverhalten „zusatzfreier” Zinndioxydschichten mit Elektronenkonzentrationen bis zu N ≈ 2 · 1020 cm−3 wurde im Bereich der Eigenabsorptionskante untersucht. Mit steigender Elektronenkonzentration verschob sich die Absorptionskante nach kurzeren Wellenlangen. Mit Hilfe einer halbklassischen Absorptionstheorie, die die Elektronengitterwechselwirkung mit den longitudinalen optischen Phononen und die mit steigender Elektronenkonzentration zunehmende Auffullung des Leitungsbandes berucksichtigte, wurden die experimentellen Ergebnisse ausgewertet. Fur die effektive Masse im Leitungsband (m* = 0,3 m0) und fur die die Elektronengitterwechselwirkung bestimmende Stoszeit ergaben sich Werte, die mit den bereits fruher vom Autor aus Gleichstrom- bzw. Ultrarotuntersuchungen erhaltenen Ergebnissen im Rahmen der Fehlergrenzen ubereinstimmten. Ferner wurden die Breite der verbotenen Zone (ΔE = 3,45 eV) und die effektive Masse im Valenzband (mv = 0,16 m0) ermittelt.The absorption in semiconducting SnO2-films free from foreign metallic impurities is investigated at the absorption edge. The absorption edge is shifted towards shorter wavelengths with increasing electron concentration. A semi-classical absorption theory is developed to take account of the effect of longitudinal polar modes, and of the filling-up of the conduction band at high electron concentrations. From this theory, the effective mass (m* = 0.3 m0) in the conduction band, the effective mass (m*v = 0.16 m0) in the valence band, the energy gap (ΔE = 3.45 eV) and the relaxation times are determined. The values for the relaxation time and the effective mass in the conduction band are in agreement with the author's previous electrical and optical measurements on SnO2-films." @default.
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